Este documento presenta los objetivos y metodología para un laboratorio sobre amplificadores de señales. Incluye 1) una lista de materiales requeridos, 2) objetivos generales como analizar y dimensionar componentes para fijar el punto de trabajo de transistores y amplificar señales, y 3) diseños específicos de amplificadores como uno con transistor BJT, otro con transistor JFET y un amplificador multicapa con acoplamiento AC y DC. El documento provee detalles teóricos y prácticos para cada diseño a ser implementado y verificado experimentalmente.

1. Página 1 de Laboratorio IV
AUX.MOISES MARTIN CONDORI YUJRA
RESPUESTA EN FRECUENCIA Y
AMPLIFICADORES MULTIETAPA
 Dos transistores BJT de uso general NPN uno de Germanio y otro de
Silicio respectivamente, recomendable BC548 BC557 .
 Un transistor JFET de canal N.
 Un transistor IGFET de canal P.
 Dos potenciómetros, uno de 100 [K] y otro de 1 [K].
 Resistencias de 100 [K]; 8.2 [K]; 2.2 [K]; 1 [K]; 330 [] y 100
[] todos de 0.5 [W].
 Capacitores en función a diseño.
 Fuente de alimentación variable DC.
 Multímetro.
 Osciloscopio.
 Generador de Funciones.
 Una fuente simétrica fija de +/- 15 [V].
3.1 OBJETIVO GENERAL
Analizar y dimensionar los componentes que permitan fijar un punto de trabajo
Q para los transistores bipolares y unipolares.
Laboratorio
4
1. LISTA DE MATERIALES
2. LISTA DE INSTRUMENTOS A UTILIZAR
3. OBJETIVOS DE LA PRÁCTICA A REALIZAR

2. Página 2 de Laboratorio IV
Analizar y dimensionar los componentes que permitan realizar una amplificación
de señal para transistores bipolares y unipolares.
3.2 OBJETIVOS ESPECIFÍCOS
Los objetivos específicos que a continuación se señalan son para cada
experimento.
a) El objetivo de esta práctica consiste en diseñar, analizar la polarización
de un circuito para polarizar un transistor BJT en la zona lineal de
funcionamiento y extraer experimentalmente algunas de las
características más significativas de estos dispositivos.
b) El objetivo de esta práctica consiste en diseñar, analizar la polarización
de un circuito para polarizar un transistor JFET en la zona lineal de
funcionamiento y extraer experimentalmente algunas de las
características más significativas de estos dispositivos.
c) Estudiar el comportamiento de un circuito polarizado con la tecnología
MOSFET y ver las diferencias con los transistores JFET.
d) Diseñar analizar y caracterizar una etapa amplificadora basada en un
transistor Bipolar, realizar la medida experimental de la ganancia de
tensión, corriente, impedancia de entrada y de salida que van a
caracterizar la etapa justificando las desviaciones existentes con los
valores obtenidos de forma teórica.
e) Estudiar el comportamiento de los circuitos amplificadores con JFET
frente a la señal de entrada, el diseño de los circuitos para implementarlos
posteriormente en el laboratorio, sus variaciones y en general su rediseño
con valores normalizados.
f) Analizar una etapa amplificadora basada en un transistor MOSFET,
realizar la medida experimental de la ganancia de tensión, corriente,
impedancia de entrada y de salida. Observar las diferencias con los demás
transistores.
g) Aplicar los conocimientos adquiridos por el estudiante durante la
experimentación y plasmarlos en la proposición de un ejemplo a
desarrollar en laboratorio.
a) ANÁLISIS EN FRECUENCIA DE UN AMPLIFICADOR CON TRANSISTOR
BJT Y JFET
a.1
En el amplificador de la figura 1 se ha utilizado bc548, dibujar su diagrama de bode
especificando claramente las frecuencias de corte inferior y superior, y la ganancia de
4. REALIZACIÓN DEL PRE - INFORME.

3. Página 3 de Laboratorio IV
tensión (Avs=Vo/Vin) a frecuencias media. ¿cuáles el ancho de banda del amplificador?
Despreciar hre=0.
Datos. Vcc=12 , R1=R5=2.2k, R2=100K, R3=18K, R4=560, R6=33K, BJT=BC548,
C1=10uF, C2=100Uf, C3=10uF
Figura 1
 Calcular el valor de Re para que tenga estabilidad.
 Calcular el valor de Av.
 Calcular teóricamente el valor de CS que fije la frecuencia de corte inferior
al valor especificado para la práctica.
 Calcular de manera teórica la frecuencia de corte superior.
 Obtener experimentalmente la respuesta en frecuencia del amplificador y
comprobar los resultados.
Cambiar la carga a 10K, 47K y 200K, repetir para cada valor lo realizado en el
anterior punto.
a.2 En el circuito amplificador presentado en la figura 2, el transistor tiene las
siguientes características: VDD = 18V ,RD=3KΩ, RG=2MΩ, RF=RS=1kΩ,
RL=4KΩ,cg=0.1uF, cd=4.7uF ,cF=10uF.(utilizar características del transistor de
Vgs(off)=-3.5V).
 Calcular el punto de polarización del transistor.
R1
2.2k
R2
100k
R3
18k
R4
560
R5
2.2k
C1
10uF
C2
100uF
C3
10uF
R6
33k
12V
R6(1)
AMP=1m
OFFSET=0
FREQ=50
PHASE=0
THETA=0
Vin
Vo
Q1
BC548
BF=200

4. Página 4 de Laboratorio IV
 Calcular la función de transferencia, AV(s).
 Determinar los valores de la frecuencia de corte inferior, fci, y frecuencia de
corte superior, fcs.
Figura 2
b) DISEÑO DE AMPLIFICADORES CON FRECUENCIA DE CORTE
ESTABLECIDO
Para determinarlos elementosreactivos externosal transistor,considere una frecuencia
de corte inferior de 300 Hz. Determine además la frecuencia de corte superior.
 Diseñe un amplificador con transistorbipolar conAv = 70, para una señalde entrada
de 15mVpp.
 Diseñe un amplificador con transistor unipolar con Av = 30, para una señal de
entrada de 20mVpp.
 Calcule y verifique la ganancia Av en las tres bandas de operación.
 Construya los diagramas de Bode correspondientes.
c) AMPLIFICADOR MULTIETAPA (ACOPLAMIENTO AC)
Diseñe un amplificador de dos etapas con Av = -200, Ai= - 50, Zin= 20 K, Zout= 2.7
K. Con una respuesta en frecuencia f1=200Hz, f2= 15KHz La primera etapa está
constituida por un amplificadorcon transistor unipolary la segunda con un bipolar;
el acoplamiento debe ser capacitivo.
Q2
2N5459
RD
3k
R9
1k
R10
3.9k
R11
2M
R12
1k
C4
0.1uF
C5
4.7uF
C6
10uF
Vdd
vin
Vo

5. Página 5 de Laboratorio IV
 Polarizar el circuito.
 Calcular la máxima tensión de salida sin distorsióny para este, la tensión de entrada.
 Replantear Av, Ai, Zin, Zout, después de la normalización de los resistores.
 Dibujar las rectas de carga AC y DC mostrandoclaramente los puntos de operación
estático y dinámico.
 Construya el diagrama de Bode correspondientes.
d) AMPLIFICADOR MULTIETAPA (ACOPLAMIENTO DC)
IMPLEMENTAR EL SIGUIENTE CIRCUITO DE LA FIGURA 3
Figura 3
Para el circuito realizarlo siguiente:
 Calcular todos los valores que faltan para la polarización.
 Calcular Ai, Zin, Zout.
 Replantear Av, Ai, Zin, Zout, después de la normalización de los resistores.
 Dibujar las rectas de carga AC y DC mostrandoclaramente los puntos de operación
estático y dinámico.
e) AMPLIFICADOR CASCODO
Diseñe un amplificador en la configuracióncascodo como se muestra en la figura 4 a
continuación:
Considerar: R37=R39=5K, R36=1K, BETA=100, RL=R42=55K
Q6
BC548
BF=220
Q7
BC548
BF=220
R27
1K
R28
39k
R29
1k
R30
470
R31
10k
R32
39K
R33
2.2k
R34
4.6k
C15
10uF
C16
10uF
R35
1K
R35(1)
+12.
C16(2)
R35(1)
R35(1)
C16(2)

6. Página 6 de Laboratorio IV
Figura 4
Obtener los valores teóricos de las resistencias calculadas y normalizarlas con valores
existentes en el mercado.
 Dibujar las rectas de carga AC y DC mostrando claramente los puntos de operación
estático y dinámico del circuito diseñado.
 Determinar las frecuencias de ruptura relativas al corte en la baja frecuencias y en la
alta frecuencia.
 Calcular la ganancia de tensión AV, la ganancia de corriente AI para una resistencia
de carga de RL = 1.8[K].
f) AMPLIFICADOR DARLINGTON
Diseñe un amplificador Darlingtonemisorcomúncomo se muestra en la figura 5:
Para obtener AV= - 250, ZI = 200 [k]. Determinartodos los valores de resistores
y la máxima excursión simétrica no distorsionada del voltaje de salida.
 Calcular la máxima excursión del voltaje a la salida y VIMAX.
 Determinar las frecuencias de rupturas relativas al corte en baja frecuencia y alta
frecuencia.
 Calcular la ganancia de tensión AV y la ganancia de corriente AI para una resistencia
de carga de RL = 180[].
 Dibujar las rectas de carga AC y DC mostrandoclaramente los puntos de operación
estático y dinámico. Construya el diagrama de Bode para VO / VI correspondiente
al circuito.
Q8
BC548
Q9
BC548
R36
1k
R37
5k
5K
10k
R39
5k
1.25K
10k
C17
10uF
C18
10uF
C19
10uF
C20
10uF
R41
50
R42
55k
R41(2)
+10V
C20(1)
R41(2)
R41(2)
C20(1)

7. Página 7 de Laboratorio IV
Figura 5
g) APORTE DEL ALUMNO
En base a los puntos del laboratorio, prepare una función e implemente un
ejercicio, obteniendo los resultados planteados, explique claramente su
funcionamiento.
SIMULACIÓN
Para todos los puntos anteriores, utilice un programa de simulación (workbench, circuit
maker, multisim, Proteus, etc.) e implemente con dicha herramienta el Laboratorio.
Para la presentación de laboratorioel estudiante necesariamente debe disponer de todos
los puntos armados en protoboard antes del inicio de sesión de la práctica.
a) ANÁLISIS EN FRECUENCIA DE UN AMPLIFICADOR CON
TRANSISTOR BJT Y JFET
Arme el circuito propuesto en el pre informe y verifique su correctofuncionamiento
comparandolos valores que obtenga experimentalmente con los calculadosen el
pre informe. Enuncie en las conclusiones si los resultados son idénticos o varían,
explique las causas.
Q10
BC548
Q11
BC548
R38
114.124K
R40
2.7K
R43
570
R44
203.7
R45
135.59K
R46
180
R47
32.31K
R48
1K
C21
10uF
C22
10uF
C23
10uF
+12.
R48(2)
C22(1)
R48(2)
C22(1)
R48(2)
5. REALIZACIÓN DE LABORATORIO.

8. Página 8 de Laboratorio IV
b) DISEÑO DE AMPLIFICADORES CON FRECUENCIA DE CORTE
ESTABLECIDO
Arme el circuito propuesto en el pre informe y verifique su correctofuncionamiento
comparandolos valores que obtenga experimentalmente con los calculadosen el
pre informe.
Enuncie en las conclusiones si los resultados son idénticos o varían, explique las
causas.
c) AMPLIFICADOR MULTIETAPA (ACOPLAMIENTO AC)
Arme el circuito propuesto en el pre informe y verifique su correctofuncionamiento
comparandolos valores que obtenga experimentalmente con los calculadosen el
pre informe.
Enuncie en las conclusiones si los resultados son idénticos o varían, explique las
causas.
d) AMPLIFICADOR MULTIETAPA (ACOPLAMIENTO DC)
Arme el circuito propuesto en el pre informe y verifique su correcto
funcionamiento comparandolos valores que obtenga experimentalmente con los
calculados en el pre informe.
Enuncie en las conclusiones si los resultados son idénticos o varían, explique las
causas.
e) AMPLIFICADOR CASCODO
Arme el circuito propuesto en el pre informe y verifique su correctofuncionamiento
comparandolos valores que obtenga experimentalmente con los calculadosen el
pre informe.
Enuncie en las conclusiones si los resultados son idénticos o varían, explique las
causas.
f) AMPLIFICADOR DARLINGTON
Arme el circuito propuesto en el pre informe y verifique su correcto
funcionamiento comparandolos valores que obtenga experimentalmente con los
calculados en el pre informe.
Enuncie en las conclusiones si los resultados son idénticos o varían, explique las
causas.

9. Página 9 de Laboratorio IV
g) APORTE DEL ALUMNO
Arme el circuito propuesto en el pre informe y demuestre su funcionamiento,
obteniendo las tablas y graficas necesarias.
Presentar los resultados obtenidos en laboratorio, con los respectivos análisis de los
datos experimentales obtenidos, interpretandocada uno de los comportamientos físicos
obtenidos, para cada una de las prácticas elaboradas realizar las respectivas
observaciones con respecto a lo aprendido y emitir conclusiones de las mismas.
Tome en cuenta los objetivos de la práctica pues son muy importantes para la
elaboración final del informe:
 Emita Las conclusiones para cada punto de Laboratorio en forma
independiente.
 Realice una comparación entre la hoja simulada y el punto desarrollado en
laboratorio.
 En base a la comparaciónemita una conclusióncompleta y enúncielo en su
informe.
 Todo cuanto se haya realizado en laboratorio, debe ser detallado, explicado
y presentado en el informe, adjunto con sus gráficas respectivas.
Este informe será el vivo reflejo de lo que el alumno haya ejecutado como trabajo en
laboratorio.
6. INFORME FINAL.