Electrónica de Potencia

1. Transistores IGBT
Principios de funcionamiento

2. Introducción
Este transistor que en inglés se le conoce como: INSULATED GATE BIPOLAR
TRANSISTOR.
Es conocido también como: TRANSISTOR BIPOLAR DE PUERTA AISLADA.
Y por lo general sus aplicaciones las podemos encontrar en sistemas de
electrónica de potencia y electrónica de control.
Rapidez de conmutación (Aproximadamente 100kHz).
Alta potencia.

3. Características
El IGBT se considera un transistor Darlington híbrido.
Utilizado para conmutación de sistemas de alta tensión.
El voltaje de compuerta o gate de excitación es de 15 volts.

4. Características
La sección transversal de silicio de un IGBT, es muy similar a la de un MOSFET,
exceptuando el sustrato p+.
Sin embargo, el comportamiento de este dispositivo es muy similar al de un BJT
que al de un transistor MOSFET.
Lo anterior se debe básicamente al sustrato p+ el cual es el responsable de la
inyección de portadores minoritarios en la región n.

5. Características

6. Características

7. Características