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1. INGENIERIA ELECTRONICA
FÍSICA DE SEMICONDUCTORES
ESTUDIANTE: Erica Julieth Medina DIAZ FECHA : 04/10/2019
DOCENTE: M.Sc. CARLOS JULIO GONZALEZ AGUILERA
Taller 2 2019B
1. La energía de Fermideloro es de6,37eV. (Constante de Boltzmann k= 8,6173x10^-5)
a. Calcular la probabilidad para unnivel de energía de6,90 eV a ser ocupadoen T
= 200 K
b) Repetir elejercicio para T= 550K y T= 4500 K (Comparar los resultados con el gráfico
de probabilidad, coloque el gráfico en el trabajo validando su
procedimiento matemático)
Grafica
© Bart Van Zeghbroeck1997 Energía de Fermidel Oro
T (green marker) 200 K
E-EF 0.53 eV
T1 (red curve) 200 K
T2 (blue curve) 550 K
T3 (black curve) 4500 K
Plot control
parameters
Emin -0.2 eV
Emax 0.2 eV
Calculated value
f(E-EF)
4.53377E-
14
0%
20%
40%
60%
80%
100%
120%
-0.4 -0.2 0 0.2 0.4 0.6
Probability
E-EF (eV)
0%
20%
40%
60%
80%
100%
120%
-0.4 -0.2 0 0.2 0.4 0.6
Probability
E-EF (eV)

2. 2. La energía de Fermi del cobre es de 7,28 eV
a. Calcular la probabilidadparaun nivel de energía de 7,30eV en T= 90 K y T= 150
°C (Comparar los resultados con el gráfico de probabilidad, coloque el gráfico
eneltrabajovalidandosuprocedimientomatemático)
Grafica
© Bart Van Zeghbroeck1997
Energía de Fermidel
Cobre
T (green marker) 90 K
E-EF 0.02 eV
T1 (red curve) 90 K
T2 (blue curve) 150 K
T3 (black curve) 0 K
Plot control
parameters
Emin -0.2 eV
Emax 0.2 eV
Calculated value
f(E-EF) 0.0706669
3. Calcular la concentraciónintrínseca delGermanio, yGaAs para temperatura T= 480 K.
Tener en cuenta la variación de la densidad de estados y lo ancho de la banda
prohibida con latemperatura.
4. Hallar la concentración deelectronesy huecos en elsilicio con las siguientes
circunstanciaspormediodelaleydemasas(tenerencuentalatablade
característicasde loselementosmostradaenestedocumento):
a. Silicio puro a 300 K
b. A300 K dopado con arsénicoenuna concentraciónde 5�1020
�−3
c. A 300 Kdopado con indio en una concentraciónde 2�1020
�−3
0%
20%
40%
60%
80%
100%
120%
-0.4 -0.2 0 0.2 0.4
Probability
E-EF (eV)