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INDICES DE
MILLER
MSc Luis Alberto Laguado Villamizar
CIENCIA DE LOS MATERIALES
ÍNDICES DE MILLER
• Es necesario especificar algún plano cristalográfico o alguna
dirección cristalográfica.
• Direcciones y planos, con números enteros o índices. Los índices
se determinan basándose en un sistema de coordenadas cuyo
origen está en un vértice de la celdilla (x, y, z).
VETORES PLANOS
PUNTOS DE RED
DIRECCIONES CRISTALOGRÁFICAS
 Los índices de Miller de las direcciones cristalográficas se
utilizan para describir direcciones específicas en la celda
unitaria.
 Las direcciones cristalográficas se usan para indicar
determinada orientación de un cristal.
 Como las direcciones son vectores, una dirección y su
negativa representan la misma línea, pero en direcciones
opuestas.
 Una dirección y su múltiplo son iguales, es necesario reducir
a enteros mínimos.
PROCEDIMIENTO PARA DETERMINAR
LAS DIRECCIONES CRISTALOGRÁFICAS
1. Determinar las coordenadas del punto inicial y final.
2. Restar las coordenadas del final menos el inicial.
3. Eliminar las fracciones o reducir los resultados
obtenidos a los enteros mínimos.
4. Encerrar los índices entre corchetes rectos [ ], los
signos negativos se representan con una barra
horizontal sobre el número.
DIRECCIONES
A= (1-0,1-0, 0-0) = [1 1 0]
B= (1/2-0, 1-0, 0-0) = [1/2,1,0] = [1 2 0]
C= (1-0, 1-0, 1-0) = [1 1 1]
D= (0-1, 0-0, 1-0) = [-1, 0, 1] = [ī 0 1]
E= (1-0, 1-1, 1-0) = [1, 0, 1] = [1 0 1]
FAMILIAS DE DIRECCIONES
 Una Familia de direcciones es un grupo de direcciones
equivalentes y se representa entre paréntesis inclinados < >
 Un material tiene las mismas propiedades en cada
una de las direcciones de una familia.
 Los metales se deforman con facilidad en
direcciones donde los átomos están en contacto
más estrecho.
 Las propiedades magnéticas del hierro y otros
materiales dependen de las direcciones
metalográficas.
 Es más fácil magnetizar el hierro en las direcciones
100.
EJERCICIO
Para las siguientes familias de direcciones, definir
todos los vectores posibles y dibujarlos en la celda
unitaria Cúbica.
 <100>
 <111>
EJERCICIO
 Por medio de los índices de Miller, identificar las
siguientes direcciones cristalográficas
solución:
A= 0,1,0 – 0,1,1 = 0,0,-1 = [00ī]
B= 1/2,0,0 – 0,1,0 = ½,-1, 0 = [1ത20]
C= 0,1,1 – 1,0,0 = -1,1,1 = [ത111]
D= 1,0,1/2 – 0,1/2,1 = 1,-1/2,-1/2 = [211]
EJERCICIO
 Por medio de los índices de Miller, identificar las
siguientes direcciones cristalográficas:
Solución:
A: 0,0,1 – 1,0,0 = -1,0,1 = [ത101]
B: 1,0,1 – ½,1,0 = ½,-1,1 = [1ഥ2 2]
C: 1,0,0 – 0,3/4,1 = 1,-3/4,-1 = [434]
D: 0,1,1/2 – 0,0,0 = 0,1,1/2 = [021]
PLANOS CRISTALOGRÁFICOS
 Un plano es un conjunto de átomos
ubicados en un área determinada.
 Los índices de Miller sirven para
identificar planos específicos dentro
de una estructura cristalina.
 Este sistema sirve para identificar
planos de deformación o de
deslizamiento.
 Se utiliza para determinar diferentes
niveles de energía superficial.
 Sirven para determinar el sentido de
crecimiento de cristales en algunos
materiales.
PROCEDIMIENTO PARA LA
IDENTIFICACIÓN DE PLANOS
1. Identificar los puntos en donde el plano cruza los ejes x, y, z.
Si el plano pasa por el origen de coordenadas, este se debe
mover para poder ubicar una distancia.
2. Determinar los recíprocos de esas intersecciones.
3. Simplificar las fracciones, sin reducir a enteros mínimos.
4. Los tres números del plano se representan entre paréntesis,
los negativos se identifican con una línea horizontal sobre el
número.
DETERMINAR LOS ÍNDICES DE MILLER DE LOS SIGUIENTES PLANOS:
A: x=1, y=1, z=1
B: x=1, y=2, z=∞ (El plano no cruza el eje z)
C: x=∞, y=-1, z=∞ (El plano pasa por el origen, mover a y=1)
A: 1/1, 1/1, 1/1 = (1 1 1)
B: 1/1, ½, 1/∞ = (2 1 0)
C: 1/∞, 1/-1, 1/∞ = (0 ത1 0)
FAMILIAS DE PLANOS
http://bit.ly/563kjsdhuensistemascristalinosplanos
 Los planos y sus negativos son iguales (0 2 0) = (0 ത2 0)
 Los planos y sus múltiplos no son iguales.
 En cada celda unitaria, los planos de una familia representan
grupos de planos equivalentes, se representan con corchetes
{ }
 En los sistemas cúbicos, una dirección que tiene los mismos
índices que un plano es perpendicular a ese plano.
 Planos de la familia {110}
PLANOS DE LA FAMILIA {111}
(111), (ഥ1 11), (1ത11), (11ത1), (111), (111), (ത11ത1), (111)
EJERCICIO
 En una celda unitaria cúbica, trazar la dirección
[1 ഥ2 1] y el plano (ത2 1 0)
EJERCICIO
 Identificar los siguientes
planos cristalográficos por
medio de los índices de
Miller:
A:x=-1 1/x= -1x3 = -3
y=½ 1/y= 2 x 3 = 6
z=¾ 1/z= Τ4
3x3 = 4
B:x=1 1/x= 1 x 3 = 3
y=- Τ3
4 1/y=- Τ4
3x3 =-4
z=∞ 1/z= 0 x 3 = 0
C: x=2 1/x= Τ1
2x6 = 3
y= Τ3
2 1/y= Τ2
3x6 = 4
z=1 1/z= 1 x 6 = 6
(ത364)
(3ത40)
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EJERCICIO
 Identificar los siguientes
planos cristalográficos por
medio de los índices de
Miller:
A: x=1 1/x = 1
y=-1 1/y =-1
z= 1 1/z = 1
B: x =∞ 1/x = 0
y = Τ1
3 1/y = 3
z =∞ 1/z = 0
C: x=1 1/x = 1
y=∞ 1/y = 0
z=- Τ1
2 1/z =-2
(1 ഥ𝟏 1)
(0 3 0)
(10ഥ𝟐)
DIRECCIONES Y PLANOS DE DESLIZAMENTO
DENSIDAD PLANAR
 En los planos metalográficos se puede medir la
cantidad de átomos con respecto al área del plano.
 Los procesos de deformación de los materiales se
producen donde la densidad es alta, y se deforma por
el deslizamiento de los átomos en ese plano.
ρ 𝑝 = (número de átomos dentro del plano)
(área del plano)
 Calcular la densidad planar de un plano 100 en una celda CS
de Polonio, cuyo radio atómico es de 0.167nm.
ρ 𝑝 = ((
1
4
)*4)
(2r)²
ρ 𝑝 = 1 = 8.96 átomos/nm²
(2r)²
FRACCIÓN DE EMPAQUETAMIENTO
PLANAR
 Es la fracción de área ocupada por átomos dentro de un plano
específico.
 El resultado se multiplica por 100 y se obtiene el porcentaje de
área de átomos que ocupan el plano.
𝐹𝐸 𝑃 = ( número de átomos dentro del plano)(área del círculo)
área del plano
 Calcular la Fracción de empaquetamiento planar de un plano
100 en una celda CS
𝐹𝐸𝑝 = ((
1
4
)∗4)(𝜋𝑟2)
(2r)²
𝐹𝐸𝑝 = 1 (𝜋𝑟2) =
𝜋
4
= 0.78 = 78%
(2r)²
DENSIDAD LINEAL
 Cantidad de átomos por unidad de longitud a lo largo de
una dirección específica.
 Las direcciones con alta densidad lineal indican
direcciones de deformación.
ρ𝑙 = (número de átomos sobre la línea)
longitud de la línea
 Calcular la densidad lineal de la dirección [0 1 1] en una
celda FCC de cobre, cuyo radio atómico es de 0.127nm.
ρ𝑙 =
2
4𝑟
ρ𝑙 =
2
4(0.127)
= 3.93 átomos/nm
FRACCIÓN DE EMPAQUETAMIENTO LINEAL
 Es la fracción de longitud ocupada por átomos dentro
de una dirección específica, no puede ser mayor a 1.
𝐹𝐸𝑙 = ( cantidad de átomos)(diámetro del círculo)
longitud del vector
 Calcular la Fracción de empaquetamiento lineal en la
dirección [0 1 1] en una celda FCC de cobre, cuyo
radio atómico es de 0.127nm.
𝑭𝑬𝒍 = (ρ𝑙)(2r)
𝐅𝐄𝒍 = (3.93)(2r) = 1
100% ESTA ES UNA DIRECCIÓN COMPACTA
BIBLIOGRAFÍA
 ASHBY, Michael. MATERIALS: Engineering, science,
processing and design. Butterworth, 2007
 ASKELAND Donald, PHULÉ Pradeep. Ciencia e Ingeniería
de los Materiales. Sexta edición. Thomson, México, 2012.
web: http://bit.ly/cienciaeingenieriadematerialespdf
 NEWELL, James. Ciencia de materiales-Aplicaciones en
ingeniería. Alfaomega Grupo Editor, 2010.
 SMITH, William F. Fundamentos de la Ciencia e Ingeniería de
los materiales. Mc Graw-Hill, México, 1998.

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ÍNDICES DE MILLER

  • 1. INDICES DE MILLER MSc Luis Alberto Laguado Villamizar CIENCIA DE LOS MATERIALES
  • 2. ÍNDICES DE MILLER • Es necesario especificar algún plano cristalográfico o alguna dirección cristalográfica. • Direcciones y planos, con números enteros o índices. Los índices se determinan basándose en un sistema de coordenadas cuyo origen está en un vértice de la celdilla (x, y, z). VETORES PLANOS
  • 4. DIRECCIONES CRISTALOGRÁFICAS  Los índices de Miller de las direcciones cristalográficas se utilizan para describir direcciones específicas en la celda unitaria.  Las direcciones cristalográficas se usan para indicar determinada orientación de un cristal.  Como las direcciones son vectores, una dirección y su negativa representan la misma línea, pero en direcciones opuestas.  Una dirección y su múltiplo son iguales, es necesario reducir a enteros mínimos.
  • 5. PROCEDIMIENTO PARA DETERMINAR LAS DIRECCIONES CRISTALOGRÁFICAS 1. Determinar las coordenadas del punto inicial y final. 2. Restar las coordenadas del final menos el inicial. 3. Eliminar las fracciones o reducir los resultados obtenidos a los enteros mínimos. 4. Encerrar los índices entre corchetes rectos [ ], los signos negativos se representan con una barra horizontal sobre el número.
  • 6. DIRECCIONES A= (1-0,1-0, 0-0) = [1 1 0] B= (1/2-0, 1-0, 0-0) = [1/2,1,0] = [1 2 0] C= (1-0, 1-0, 1-0) = [1 1 1] D= (0-1, 0-0, 1-0) = [-1, 0, 1] = [ī 0 1] E= (1-0, 1-1, 1-0) = [1, 0, 1] = [1 0 1]
  • 7. FAMILIAS DE DIRECCIONES  Una Familia de direcciones es un grupo de direcciones equivalentes y se representa entre paréntesis inclinados < >
  • 8.  Un material tiene las mismas propiedades en cada una de las direcciones de una familia.  Los metales se deforman con facilidad en direcciones donde los átomos están en contacto más estrecho.  Las propiedades magnéticas del hierro y otros materiales dependen de las direcciones metalográficas.  Es más fácil magnetizar el hierro en las direcciones 100.
  • 9. EJERCICIO Para las siguientes familias de direcciones, definir todos los vectores posibles y dibujarlos en la celda unitaria Cúbica.  <100>  <111>
  • 10. EJERCICIO  Por medio de los índices de Miller, identificar las siguientes direcciones cristalográficas solución: A= 0,1,0 – 0,1,1 = 0,0,-1 = [00ī] B= 1/2,0,0 – 0,1,0 = ½,-1, 0 = [1ത20] C= 0,1,1 – 1,0,0 = -1,1,1 = [ത111] D= 1,0,1/2 – 0,1/2,1 = 1,-1/2,-1/2 = [211]
  • 11. EJERCICIO  Por medio de los índices de Miller, identificar las siguientes direcciones cristalográficas: Solución: A: 0,0,1 – 1,0,0 = -1,0,1 = [ത101] B: 1,0,1 – ½,1,0 = ½,-1,1 = [1ഥ2 2] C: 1,0,0 – 0,3/4,1 = 1,-3/4,-1 = [434] D: 0,1,1/2 – 0,0,0 = 0,1,1/2 = [021]
  • 12. PLANOS CRISTALOGRÁFICOS  Un plano es un conjunto de átomos ubicados en un área determinada.  Los índices de Miller sirven para identificar planos específicos dentro de una estructura cristalina.  Este sistema sirve para identificar planos de deformación o de deslizamiento.  Se utiliza para determinar diferentes niveles de energía superficial.  Sirven para determinar el sentido de crecimiento de cristales en algunos materiales.
  • 13. PROCEDIMIENTO PARA LA IDENTIFICACIÓN DE PLANOS 1. Identificar los puntos en donde el plano cruza los ejes x, y, z. Si el plano pasa por el origen de coordenadas, este se debe mover para poder ubicar una distancia. 2. Determinar los recíprocos de esas intersecciones. 3. Simplificar las fracciones, sin reducir a enteros mínimos. 4. Los tres números del plano se representan entre paréntesis, los negativos se identifican con una línea horizontal sobre el número.
  • 14. DETERMINAR LOS ÍNDICES DE MILLER DE LOS SIGUIENTES PLANOS: A: x=1, y=1, z=1 B: x=1, y=2, z=∞ (El plano no cruza el eje z) C: x=∞, y=-1, z=∞ (El plano pasa por el origen, mover a y=1) A: 1/1, 1/1, 1/1 = (1 1 1) B: 1/1, ½, 1/∞ = (2 1 0) C: 1/∞, 1/-1, 1/∞ = (0 ത1 0)
  • 16.  Los planos y sus negativos son iguales (0 2 0) = (0 ത2 0)  Los planos y sus múltiplos no son iguales.  En cada celda unitaria, los planos de una familia representan grupos de planos equivalentes, se representan con corchetes { }  En los sistemas cúbicos, una dirección que tiene los mismos índices que un plano es perpendicular a ese plano.  Planos de la familia {110}
  • 17. PLANOS DE LA FAMILIA {111} (111), (ഥ1 11), (1ത11), (11ത1), (111), (111), (ത11ത1), (111)
  • 18. EJERCICIO  En una celda unitaria cúbica, trazar la dirección [1 ഥ2 1] y el plano (ത2 1 0)
  • 19. EJERCICIO  Identificar los siguientes planos cristalográficos por medio de los índices de Miller: A:x=-1 1/x= -1x3 = -3 y=½ 1/y= 2 x 3 = 6 z=¾ 1/z= Τ4 3x3 = 4 B:x=1 1/x= 1 x 3 = 3 y=- Τ3 4 1/y=- Τ4 3x3 =-4 z=∞ 1/z= 0 x 3 = 0 C: x=2 1/x= Τ1 2x6 = 3 y= Τ3 2 1/y= Τ2 3x6 = 4 z=1 1/z= 1 x 6 = 6 (ത364) (3ത40) (346)
  • 20. EJERCICIO  Identificar los siguientes planos cristalográficos por medio de los índices de Miller: A: x=1 1/x = 1 y=-1 1/y =-1 z= 1 1/z = 1 B: x =∞ 1/x = 0 y = Τ1 3 1/y = 3 z =∞ 1/z = 0 C: x=1 1/x = 1 y=∞ 1/y = 0 z=- Τ1 2 1/z =-2 (1 ഥ𝟏 1) (0 3 0) (10ഥ𝟐)
  • 21. DIRECCIONES Y PLANOS DE DESLIZAMENTO
  • 22. DENSIDAD PLANAR  En los planos metalográficos se puede medir la cantidad de átomos con respecto al área del plano.  Los procesos de deformación de los materiales se producen donde la densidad es alta, y se deforma por el deslizamiento de los átomos en ese plano. ρ 𝑝 = (número de átomos dentro del plano) (área del plano)
  • 23.  Calcular la densidad planar de un plano 100 en una celda CS de Polonio, cuyo radio atómico es de 0.167nm. ρ 𝑝 = (( 1 4 )*4) (2r)² ρ 𝑝 = 1 = 8.96 átomos/nm² (2r)²
  • 24. FRACCIÓN DE EMPAQUETAMIENTO PLANAR  Es la fracción de área ocupada por átomos dentro de un plano específico.  El resultado se multiplica por 100 y se obtiene el porcentaje de área de átomos que ocupan el plano. 𝐹𝐸 𝑃 = ( número de átomos dentro del plano)(área del círculo) área del plano
  • 25.  Calcular la Fracción de empaquetamiento planar de un plano 100 en una celda CS 𝐹𝐸𝑝 = (( 1 4 )∗4)(𝜋𝑟2) (2r)² 𝐹𝐸𝑝 = 1 (𝜋𝑟2) = 𝜋 4 = 0.78 = 78% (2r)²
  • 26. DENSIDAD LINEAL  Cantidad de átomos por unidad de longitud a lo largo de una dirección específica.  Las direcciones con alta densidad lineal indican direcciones de deformación. ρ𝑙 = (número de átomos sobre la línea) longitud de la línea
  • 27.  Calcular la densidad lineal de la dirección [0 1 1] en una celda FCC de cobre, cuyo radio atómico es de 0.127nm. ρ𝑙 = 2 4𝑟 ρ𝑙 = 2 4(0.127) = 3.93 átomos/nm
  • 28. FRACCIÓN DE EMPAQUETAMIENTO LINEAL  Es la fracción de longitud ocupada por átomos dentro de una dirección específica, no puede ser mayor a 1. 𝐹𝐸𝑙 = ( cantidad de átomos)(diámetro del círculo) longitud del vector
  • 29.  Calcular la Fracción de empaquetamiento lineal en la dirección [0 1 1] en una celda FCC de cobre, cuyo radio atómico es de 0.127nm. 𝑭𝑬𝒍 = (ρ𝑙)(2r) 𝐅𝐄𝒍 = (3.93)(2r) = 1 100% ESTA ES UNA DIRECCIÓN COMPACTA
  • 30. BIBLIOGRAFÍA  ASHBY, Michael. MATERIALS: Engineering, science, processing and design. Butterworth, 2007  ASKELAND Donald, PHULÉ Pradeep. Ciencia e Ingeniería de los Materiales. Sexta edición. Thomson, México, 2012. web: http://bit.ly/cienciaeingenieriadematerialespdf  NEWELL, James. Ciencia de materiales-Aplicaciones en ingeniería. Alfaomega Grupo Editor, 2010.  SMITH, William F. Fundamentos de la Ciencia e Ingeniería de los materiales. Mc Graw-Hill, México, 1998.