Este informe final presenta los resultados de un experimento sobre el transistor bipolar donde se midió la polarización y ganancia. Se analizaron diferentes configuraciones del circuito y se dibujaron las rectas de carga correspondientes. Adicionalmente, se explicaron los puntos de operación obtenidos y las variaciones en las rectas de carga.

1. UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERÍA
FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA
Informe FINAL#3
Experiencia: El Transistor Bipolar: Polarización y Ganancia
Curso: IT144
Docente: Albuquerque Guerrero
Integrantes:
Alipio Rodríguez Eisson Xabier 20072518K
Quispe Guevara Luis Felipe 20091120I
Castillo Berrocal Karine 20071035F
Bendezu Zavaleta Henry 20091027I
1. PRESENTAR LAS MEDICIONES EFECTUADAS EN CADA CIRCUITO DIBUJANDO EN UNA HOJA COMPLETA, CON EL DISEÑO
ORIGINAL.
a.- Para la Primera Experiencia (Figura 1)
Análisis en DC

2. Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Circuito Original:
Rc= 3.286k
Re=0.198k
R1=21.51k
R2=56K
Ckto.Original R2=56k R2=3.3k Rc=0
Vb 0.94 1.43 1.08 3.65
Ve 0.29 0.71 0.40 4.11
Vc 7.37 1.68 5.97 11.99
VCEQ 7.08 0.97 5.57 7.89
Ic 1.43 mA 3.13 mA 1.83 mA 20.55
ANALISIS EN AC:
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3. Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Cto original Sin C en emisor
Vi(mV) 63mv 69.3mV
Vo(mV) 2.05 v 0.52
Av 32.54 7.50
En la experiencia realizada para hallar la ganancia del Transistor, hemos comprobado
que cuando usamos el circuito original (Ce>0) obtenemos mayor ganancia que el
circuito con Ce=0, pero también se observa que obtenemos mayor estabilidad en el
transistor con Ce=0.
CIRCUITO # 2:
Cto original Sin C en emisor
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4. Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Vi(mV) 55.3 mV 60.67 mV
Vo(mV) 0.58 v 208.17 mV
Av 10.48 3.43
2. Dibujar las rectas de carga a partir de la tabla. Llenada en una sola hoja para poder hacer comparaciones.
Ckto.Original R2=56k R2=3.3k Rc=0
VCEQ 7.08 0.97 5.57 7.89
Ic 1.43 mA 3.13 mA 1.83 mA 20.55
Ic(max) 3.44 3.44 3.44
Para el caso 1 (Circuito Original)
RDC= RC + RE = 3.484 k
Vcc = 12 V
ICmax(DC) = Vcc/RDC = 3.44 mA
Tenemos el Gráfico de la recta de carga :
IC
6m A.
IC max
5m A.
4m A.
I CQ =3 .1 0m A. Pt o. Q
3m A.
2m A.
1m A.
V CC
V CEQ = 5. 26 v.
V CE
0 2v . 4v . 6v . 8v . 10 v. 12 v.
Para el caso 2 (R2 = 56 k)
RDC= RC + RE = 2.20k
Para el circuito original
ICQ = 5.40 mA. VCEQ = 0.16 V.
Vcc = 12 V
ICmax(DC) = Vcc/RDC = 5.45 mA
Tenemos el Gráfico de la recta de carga :
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5. Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica
IC
6m A. I CQ =5 .4 0m A.
I Cm ax Pt o. Q
5m A.
4m A.
3m A.
2m A.
1m A.
V CC
V CEQ =0 .1 6.
V CE
0 2v . 4v . 6v . 8v . 10 v. 12 v.
Para el caso 3 (R2 = 3.3k)
RDC= RC + RE = 2.20k
Para el circuito original
ICQ = 0.22 mA. VCEQ = 11.58 V.
Vcc = 12 V
ICmax(DC) = Vcc/RDC = 5.45 mA
Tenemos el Gráfico de la recta de carga :
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6. Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica
IC
6m A.
IC max
5m A.
4m A.
3m A.
2m A.
1m A. V CEQ =1 1 .5 8v .
I CQ =0 .2 2m A.
Pt o. Q
V CE
0 2v . 4v . 6v . 8v . 10 v. 12 v.
Para el caso 4 (RC = 3.3k)
RDC= RC + RE = 4.31k
Para el circuito original
ICQ = 2.70 mA. VCEQ = 0.1 V.
Vcc = 12 V
ICmax(DC) = Vcc/RDC = 2.78 mA
Tenemos el Gráfico de la recta de carga :
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7. Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica
IC
3m A.
I Cmax I CQ =2 .7 0m A.
Pt o. Q
2m A.
1m A.
V CEQ = 0. 10 v. V CC
V CE
0 2v . 4v . 6v . 8v . 10 v. 12 v.
Para el caso 5 (RC = 0k)
RDC= RC + RE = 1k
Para el circuito original
ICQ = 3.10 mA. VCEQ = 8.90 V.
Vcc = 12 V
ICmax(DC) = Vcc/RDC = 12.00 mA
Tenemos el Gráfico de la recta de carga :
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8. Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica
IC
IC max
12 mA .
10 mA .
8m A.
6m A.
4m A. I CQ =3 .1 0m A.
Pt o. Q
2m A.
V CEQ = 8. 90 v. V CC
V CE
0 2v . 4v . 6v . 8v . 10 v. 12 v.
3. Explicar los puntos Q obtenidos y las variaciones de las rectas de carga DC.
Para el circuito original
El punto de operación (Punto Q) en el circuito original se encuentra en centro de la recta
de carga (en la región activa), el cual origina la Máxima Excursión Simétrica posible y el
transistor se comporta como amplificador.
Para R2=56K
El punto de operación (Punto Q) en el circuito se encuentra en el extremo izquierdo de la
recta de carga (en la región de saturación), el cual el transistor se comporta como
conmutador.
Para R2=3.3K
El punto de operación (Punto Q) en el circuito se encuentra en el extremo derecho de la
recta de carga (en la región de corte), el cual el transistor se comporta como conmutador.
Para Rc=3.3K
El punto de operación (Punto Q) en el circuito se encuentra en el extremo izquierdo de la
recta de carga (en la región de saturación), el cual el transistor se comporta como
conmutador.
Para RC=0K
El punto de operación (Punto Q) en el circuito se encuentra en el extremo derecho de la
recta de carga (en la región de corte), el cual el transistor se comporta como conmutador.
4. TRAZAR NUEVAMENTE LA RECTA DE CARGA DC Y AC, VERIFICAR LA VO MÁXIMO SIN DISTORSIÓN, EXPLICAR.
Vemos que la máxima amplitud de Vo es aproximadamente 5 V, y si calculamos es :
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9. Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Vo max = 2.Icq.(RC//RL) = 7,46 V
Hay un margen de error es tal vez debido al generador que hemos utilizado por ser poco
calibre al aumentar el valor de la entrada Vi.
7. EXPLICAR LA CONFIGURACIÓN COLECTOR COMÚN, LOS VALORES ESPERADOS Y LAS APLICACIONES DE ELLA.
La configuración colector común se emplea fundamentalmente para propósitos de
acoplamiento de impedancia ya que tiene una elevada impedancia de salida, que lo opuesto
a las configuraciones de base común y de emisor común.
Las configuraciones del circuito colector común se muestra que la resistencia de emisor
esta a tierra, y el colector esta conectado a tierra aun cuando el emisor esta conectado de
manera similar a la configuración de emisor común.
Los limites de operación. Para cada transistor existe una región sobre las características, la cual
asegurara que los valores nominales máximos no sean excedidos y la señal de salida se
exhibe una distorsión mínima.
Los limites de operación :
7.5 A.  IC  200 mA.
0.3 v.  VCE  30 v.
VCE.IC  650 mW.
8. Observaciones y conclusiones:
 La región activa directa corresponde a una polarización directa de la unión emisor base y
a una polarización inversa de la unión colector.
 Concluimos también que la región activa inversa corresponde a la polarización inversa
de la unión emisor base y a una polarización directa de la unión colector base.
 Observamos que la región de corte que hemos observado en el laboratorio es verificado
teóricamente donde corresponde a una polarización inversa de ambos uniones del
transistor. Donde Ic se aproxima al valor de cero.
 Y concluimos también que la región de saturación corresponde a la polarización directa
de ambas uniones del transistor. Donde el valor de VCE se aproxima a cero cosa que ya
lo hemos verificado en las preguntas 2 y 3 donde hemos calculado los valores de corte y
de saturación para el transistor.
 Observamos que los capacitadores de acoplamiento que son C1 y C2 sirven para
prevenir las interacciones de DC entre etapas adyacentes, estos capacitadores son
circuitos abiertos en DC y corto circuito para señales AC.
 Observamos también que hay un capacitadores de paso que es Ce que sirve para poner
en corto a una resistencia RE.
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10. Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Bibliografía:
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11. Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Libros:
 Dispositivos y Circuitos Electrónicos
Jacob Millman / Christos C. Halkias
 Circuitos Electrónicos : Discretos E Integrados
Donald L. Schilling / Charles Belove
 Saber Electrónica (Edición Andina)
Revista mensual publicada para los distintos países.
N de Colección: 10, 34
 Tu Futuro es la Electrónica
Curso Básico de Electrónica Aplicada (Colección CEKIT).
28 fascículos coleccionables de publicación semanal.
 Aplicaciones y Manejo del Multitester
Víctor Rolando Villanueva
 ECG - Semiconductors Master Replacement Guide
Web:
 http://www.detectores.com.ar/
 http://en.wikipedia.org/wiki/Bipolar_junction_transistor
 http://www.ecse.rpi.edu/~schubert/
Course-ECSE-6290_SDM-2/1BJT-2Basics.pdf
 http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/fairchild/BC548B.pdf
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