Los transistores de efecto de campo (FET) son dispositivos en los que la corriente se controla mediante tensión. Funcionan como amplificadores al suministrar una corriente de salida proporcional a la tensión de entrada. Existen dos tipos principales, los JFET y los MOSFET. La curva característica de un FET define tres regiones de funcionamiento: la zona lineal, la zona de saturación y la zona de corte.

1. TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

2. Características generales:
Por el terminal de control no se
absorbe corriente.
Una señal muy débil puede controlar
el componente
La tensión de control se emplea para
crear un campo eléctrico
Los Transistores de Efecto de
Campo son dispositivos en los que la
corriente se controla mediante
tensión. Cuando funcionan como
amplificador suministran una corriente
de salida que es proporcional a la
tensión aplicada a la entrada. Se
empezaron a construir en la década de
los 60. Existen dos tipos de
transistores de efecto de campo los
JFET (transistor de efecto de
campo de unión) y los MOSFET. Los
transistores MOS respecto de los
bipolares ocupan menos espacio por
lo que su aplicación más frecuente la
encontramos en los circuitos
integrados.
Símbolo de un FET de canal N Símbolo de un FET de canal P

3. CURVA CARACTERÍSTICA
Los parámetros que definen el funcionamiento de un FET se observan en la siguiente
figura:
Parámetros de un FET de canal N Parámetros de un FET de canal P
La curva característica del FET define con precisión como funciona este dispositivo. En ella
distinguimos tres regiones o zonas importantes:
• Zona lineal.- El FET se comporta como una resistencia cuyo valor depende de la tensión
VGS.
• Zona de saturación.- A diferencia de los transistores bipolares en esta zona, el FET, amplifica
y se comporta como una fuente de corriente controlada por la tensión que existe entre Puerta
(G) y Fuente o surtidor (S) , VGS.
• Zona de corte.- La intensidad de Drenador es nula.

4. Al variar la tensión entre drenador y surtidor
varia la intensidad de drenador permaneciendo
constante la tensión entre puerta y surtidor.
En la zona óhmica o lineal se observa como al
aumentar la tensión drenador surtidor aumenta la
intensidad de drenador.
En la zona de saturación el aumento de la
tensión entre drenador y surtidor produce una
saturación de la corriente de drenador que hace
que esta sea constante. Cuando este transistor
trabaja como amplificador lo hace en esta zona.
La zona de corte se caracteriza por tener una
intensidad de drenador nula.
La zona de ruptura indica la máxima tensión que
soportará el transistor entre drenador y surtidor.
Es de destacar que cuando la tensión entre
puerta y surtidor es cero la intensidad de
drenador es máxima.

5. Indican la variación entre la intensidad de drenador en función de la tensión de puerta.

6. En las hojas de características de los fabricantes de
FETs encontrarás los siguientes parámetros (los más
importantes):
•VGS y VGD.- son las tensiones inversas máximas
soportables por la unión PN.
•IG.- corriente máxima que puede circular por la unión
puerta - surtidor cuando se polariza directamente.
•PD.- potencia total disipable por el componente.
•IDSS.- Corriente de saturación cuando VGS=0.
•IGSS.- Corriente que circula por el circuito de puerta
cuando la unión puerta - surtidor se encuentra
polarizado en sentido inverso.