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ESTRUCTURA CRISTALINA
Pirita
Cuarzo
ESTRUCTURA CRISTALINA
IMPORTANCIA DE LA ESTRUCTURA CRISTALINA
Grafito Diamante
Pared frisada (Macroestructura)
Analogía para recordar
MICROESTRUCTURA DEL METAL
Pared frisada (Macroestructura) Unidad repetitiva: bloque
Analogía para recordar
MICROESTRUCTURA DEL METAL
Barra de metal
Superficie atacada
Estructura policristalina del metal
Grano o Cristal
MICROESTRUCTURA DEL METAL
Estructura policristalina del metal
Barra de metal
¿QUÉ ES LO QUE CARACTERIZA A UN CRISTAL?
Monocristal
CRISTAL
Analogía para recordar
Monocristal
Policristal
Grano
ESTRUCTURA A ESCALA ATÓMICA
Estructura cristalina
Microestructura
Red de átomos
ESTRUCTURA CRISTALINA
Patrón característico
Estructura cristalina
Grano
Red de átomos
Celda unitaria
Estructura cristalina
FCC
ESTRUCTURA CRISTALINA FCC
La estabilización de un átomo con los átomos vecinos es tanto mayor cuando se adoptan
formas más regulares  Ordenamiento cristalino, minimiza la energía total interatómica.
ESTRUCTURA CRISTALINA FCC
½
1/8
Factor de empaquetamiento (espacio ocupado por átomos) = 74%  26% espacio vacío
ESTRUCTURA CRISTALINA FCC
½
1/8
Celda unidad
Translación eje X
Celda unidad Translación eje Z Translación eje Y
La repetición regular del patrón, llamado celda unitaria, se denomina red cristalina
Orden de largo alcance
RED CRISTALINA
Repetición de la celda unitaria
Los cristales tienen simetría traslacional:
La celda unidad se define geométricamente por 6 parámetros (parámetros de red):
• tres ejes cristalográficos (a, b y c)
• tres ángulos interaxiales (a, b, g).
PARÁMETROS RETICULARES
Esquema Celda unitaria
Ejes cristalográficos (x, y, z)
(Origen de los ejes es arbitrario)
Estructuras cúbicas
a = b = c
a
b
c
PARÁMETROS RETICULARES
Ejes cristalográficos
a, b, c, son los parámetros de la
red (dimensiones de cada uno de
los lados de la celda)
Z
X
y
Volumen = a3
Espacio vacío: 26% de la celda FCC
SITIOS INTERSTICIALES EN LA ESTRUCTURA FCC
Tetraédrico Octaédrico
SITIOS INTERSTICIALES EN LA ESTRUCTURA FCC
OCTAÉDRICO
Átomos del metal
Intersticios octaédrico (4)
(Punto medio de cada borde y en el centro)
TETRAÉDRICO
Intersticios tetraédrico (8)
Átomos del metal
(Entre una esquina y tres átomos
centrados en la cara)
Átomos de soluto en una posición intersticial Octaédrico
SITIOS INTERSTICIALES EN LA ESTRUCTURA FCC
SITIOS INTERSTICIALES EN LA ESTRUCTURA FCC
Átomos de soluto en
una posición intersticial
Octaédrica
Radio Intersticio = 32.2 nm
Intersticio Tetraédrico
Átomo intersticial octaédrica
59,2 nm es radio del átomo
más grande que pueda entrar
en este sitio
Al
Solución sólida – analogía
Solución sólida
FORMACIÓN DE SOLUCIÓN SÓLIDA
Solución sólida – analogía
FORMACIÓN DE SOLUCIÓN SÓLIDA
Corresponde a un arreglo infinito de puntos ubicados de forma tal que el entorno de cada
punto es idéntico al entorno de cada uno de los otros puntos de la red.
REDES
Patrón periódico
Celda unitaria: es el espacio que llena un paralelepípedo con origen en un punto de la red y
con sus bordes definidos por tres vectores base no coplanares (a, b y c), cada uno de los cuales
representa traslaciones entre dos puntos de red.
CELDAS
Red 2D
El paralelogramo que se define por a y b (vectores básicos de la red) = celda unidad
Definición de celda primitiva: corresponde a la celda unidad que contiene solo un punto de la
red. Las que contienen más de un punto se denominan múltiples o centradas.
Bravais demostró en 1848 que sólo hay 14
tipos de redes ó formas únicas posibles en la
que los puntos (base) pueden distribuirse
periódicamente en el espacio.
Augusto Bravais
(1811-1863)
REDES DE BRAVAIS
Cúbico centrado
en el cuerpo (BCC)
LOS 14 REDES ESPACIALES DE BRAVAIS
Cúbico simple
(Polonio)
Cúbico centrado
en la cara (FCC)
Ortorrómbico simple Ortorrómbico centrado
en el cuerpo
Ortorrómbico
centrado en la base
Ortorrómbico
centrado en la cara
Tetragonal simple Hexagonal
Tetragonal centrado en
el cuerpo
LOS 14 REDES ESPACIALES DE BRAVAIS
Romboédrico Monoclínico simple Monoclínico centrado
en la base
Triclínico
SISTEMAS CRISTALINOS Y REDES DE BRAVAIS
Todos los cristales que existen en
la naturaleza se pueden agrupar
en 7 sistemas cristalinos.
ESTRUCTURA CRISTALINA
Estructura cristalina: se obtiene poniendo los átomos de la base en
cada punto de la red.
Estructura cristalina = red + base
Base o motivo: un átomo o un grupo de dos o más átomos localizados
de manera particular cada uno con respecto a otro, y asociados con
cada punto de la red.
ESTRUCTURA CRISTALINA BCC
Factor de empaquetamiento = 68%  32% espacio vacío > FCC
HEXAGONAL COMPACTO (HCP)
Factor de empaquetamiento = 74%  26% espacio vacío
Vista de planta
Plano Basal
a
C
Prismático
“a” y “c” parámetros reticulares c/a = 1,633 (ideal)
Fracción de espacio ocupado por átomos
FACTOR DE EMPAQUETAMIENTO (F.E)
(a . b . c)
Fracción de espacio ocupado por átomos
FACTOR DE EMPAQUETAMIENTO (F.E)
Requiere calcular el #
átomos por celda unitaria
En función al radio del átomo
(a . b . c)
Volumen debe estar
en función del radio.
ÁTOMOS POR CELDAS UNITARIAS
Los átomos se deben tocar a lo largo de la diagonal de la cara del cubo
a =
r
r
a
4r
4r 
¿Diagonal cara cubo?
RELACIÓN PARÁMETRO DE RED CON RADIO ATÓMICO
2 a =
    74
0
2
3
2
4
4
4
3
3
3
4
3
3
3
4
.
r
a
r
.
F
.
P 














F.E
r
FACTOR DE EMPAQUETAMIENTO (F.E)
Para la estructura FCC
 74%
26% de la celda unitaria FCC es espacio vacio
3
4 r
a =
    68
0
8
3
3
4
2
2
3
3
3
4
3
3
3
4
.
r
a
r
.
F
.
P 














¿Diagonal del cubo? a
F.E
4r= 3 a
Los átomos se deben tocar a lo largo de la diagonal del cubo
F.E para la estructura BCC
FACTOR DE EMPAQUETAMIENTO (F.E)
r
 68% 32% es espacio vacio

BCC
2 a
FACTOR DE EMPAQUETAMIENTO (F.E)
FRACCIÓN DE VOLUMEN
DISPONIBLE OCUPADO
POR ESFERA
CÚBICO
SIMPLE
0,52
CENTRADO
CUERPO
0,68
CENTRADO
CARA
0,74
POLIMORFISMO:
Capacidad de un material sólido de existir en más de
una estructura cristalina, todas ellas con la misma
composición.
Del Griego “Poli” (varios) y
“Morfos” (formas) = muchas
formas. El cambio es
irreversible
El ej. clásico es el carbono, que presenta 4 polimorfos con
propiedades muy diferentes entre si: Diamante, grafito, fullerenos y
nanotubos.
POLIMORFISMO O ALOTROPÍA
Cuando el fenómeno de polimorfismo se da en los elementos químicos
puros. El cambio en estructura es reversible (Enantrópica).
ALOTROPÍA:
Ej.: Fe, Sn, Mn, Co, Ti
POLIMORFISMO O ALOTROPÍA
Transformación alotrópica del
hierro puro
Cada cambio es un ejemplo de transformación
de fase.
Fe d
Fe g
Fe b
Fe a
Tiempo
Temperatura
L
Responsable del
que Fe a cristalice
en BCC y no en HCP
Estable a causa de su
ordenamiento Ferromagnético
ESTADO ALOTRÓPICO DEL HIERRO
(BCC)
(FCC)
(BCC)
Curva de enfriamiento del hierro puro
ALOTROPÍA Y POLIMORFISMO
Cada material escoge aquella estructura que proporciona la menor energía.
Van acompañada de un
cambio de volumen
BCC
BCC
BCC
FCC
Variación del volumen de los átomos de hierro con la temperatura
Cambio en el volumen atómico de aprox. 1%  tensiones
internas durante la transformación.
ESTADO ALOTRÓPICO DEL HIERRO
Temperatura (oC)
El polimorfismo ó alotropía son los que justifican ó hacen posible los
tratamientos térmicos  y por lo tanto las transformaciones de fases
En general, aunque no siempre, la fase de empaquetamiento más
compacto es estable a bajas temperaturas y las de menor
empaquetamiento, estables a temperaturas más elevadas
POLIMORFISMO O ALOTROPÍA
La baja direccionalidad de los enlaces que forman los iones metálicos
explica porque el polimorfismo sea frecuente en diversas condiciones
de presión y temperatura.
Cambio de Sn blanco (Sn-b, tetragonal),
habitual a temperatura ambiente, a Sn
gris frágil (Sn a, cúbico), que aparece a
temperaturas inferiores a 14,2ºC con
tiempos prolongados de exposición.
ALOTROPÍA Y POLIMORFISMO
Peste del estaño
Campaña de Napoleón en Rusia, 1812
ANALOGÍA MECÁNICA DE LA ESTRUCTURA CRISTALINA
Es necesario especificar ciertos planos y direcciones en los cristales.
Planos cristalográficos
d
d= distancia interplanar
Dirección cristal.
Many phenomena in materials are associated
with or occur preferentially on specific
crystallographic planes. For example, brittle
cleavage cracks readily nucleate and grow on
(100) planes in MgO crystals. Silicon oxidizes
more rapidly on the (111) plane than on the
(100) plane. Crystal growth is frequently
favored on one plane relative to others.
Microelectronic (e.g., transistor) and
optoelectronic (e.g., laser) device fabrication
can be reliably accomplished only on specific
semiconductor planes. Regardless of
application, the important planes are usually
the most atomically dense ones (i.e., high
APD). Such planes are also ones of low index.
Método:
i. Expresar los cortes del plano con los ejes en unidades de los
parámetros de red de la celda unidad.
ii. Calcular los inversos de estos valores.
iii. Reducir los inversos a los menores enteros en la misma proporción.
INDICES DE MILLER
PLANOS DE LA RED
Los planos cristalográficos se pueden identificar por tres índices de
Miller. Se utiliza la nomenclatura: (h k l) y para familia planos {hkl}
• Si no se cumple lo anterior, el plano debe trasladarse o se necesita un origen.
• Determinar los puntos de intersección del plano con los ejes cristalográficos en
• Determinar el recíproco (1/a 1/b 1/c 1/∞).
• Reducir al menor numero posible según factor común o mínimo común múltiplo.
REGLAS PARA DEFINIR UN PLANO CRISTALOGRÁFICO
INDICES DE MILLER – PLANOS CRISTALOGRÁFICOS
función de a, b, c, o infinito, si es paralelo a alguno de los ejes.
El plano debe interceptar o ser paralelo a cualquier eje.
INDICES DE MILLER – PLANOS CRISTALOGRÁFICOS
(200)
Los puntos verdes
indican dónde se
ubicó el origen.
INDICES DE MILLER – PLANOS CRISTALOGRÁFICOS
Planos: (hkl)
Familia de planos {hkl}
Notación
Planos con índices de signo opuesto son equivalentes
INDICES DE MILLER – PLANOS CRISTALOGRÁFICOS
• Cara rosa: (1/1, 1/∞, 1/∞) = (100)
• Cara verde: (1/∞, 1/∞, 1/1) = (001)
• Cara amarilla: (1/∞, 1/1, 1/∞) = (010)
INDICES DE MILLER – PLANOS CRISTALOGRÁFICOS
Planos paralelos = tienen los mismos
índices de Miller
Intercepción: (1,1, ∞) (110) Intercepción = (1,1,1)  (111)
INDICES DE MILLER – PLANOS CRISTALOGRÁFICOS
INDICES DE MILLER – PLANOS CRISTALOGRÁFICOS
INDICES DE MILLER – PLANOS CRISTALOGRÁFICOS
En los sistemas cúbicos, una dirección que tiene los mismos índices que un plano es
perpendicular a dicho plano.
INDICES DE MILLER – PLANOS CRISTALOGRÁFICOS
Los planos de índices de Miller bajos son los más espaciados entre si (planos más compacto
y espaciado entre si).
Observaciones sobre los índices de Miller para los planos
Los planos y sus negativos son idénticos (en el caso de las direcciones eso no es cierto). Por
tanto, (020) = (020)
Existen planos que son equivalentes, formando familias de planos, ej. Los diferentes planos de
la familia {110} en sistemas cúbicos son: (110), (101), (011), (1-10), (10-1), (01-1).
Los planos y sus múltiplos no son idénticos (en el caso de las direcciones si lo son). (100) no es
lo mismo que (200).
En el sistema cúbico, (hkl) es perpendicular [hkl]
Se usan 4 ejes
(hkil)
EJES COORDENADAS HCP
Índices de Miller-Bravais
3 ejes basales y uno vertical
EJES COORDENADAS HCP
EJES COORDENADAS HCP
Planos basales y planos del prisma
EJES COORDENADAS HCP
EJES COORDENADAS HCP
EJES COORDENADAS HCP
Plano piramidal
C
INDICES DE MILLER
Las direcciones son
vectores que conectan dos
puntos de red en un
sentido preestablecido.
Direcciones comunes en una celda unitaria cúbica
DIRECCIONES DE LA RED
Los Índices de Miller representan una notación cristalográfica que
permite describir cualquier plano o dirección espacial por un conjunto
de tres números enteros, denominados Índices de Miller.
Las propiedades de los materiales cristalinos y ciertos procesos
fisicoquímicos asociados a los sólidos cristalinos suelen depender de las
direcciones cristalográficas.
Las propiedades de un material serán las mismas a lo largo de una
familia de direcciones cristalográficas.
Para materiales cristalinos uniformes, todas las direcciones paralelas
tendrán las mismas propiedades.
INDICES DE MILLER – DIRECCIONES CRISTALOGRÁFICAS
Los metales se deforman, por ejemplo, en aquellas direcciones a lo
largo de las cuales los átomos están en contacto directo (direcciones
compactas).
Las propiedades magnéticas del hierro y otros materiales dependen
de la dirección. Es más fácil magnetizar al hierro en la dirección [100]
que en las direcciones [111] o [110].
INDICES DE MILLER – DIRECCIONES CRISTALOGRÁFICAS
Los índices se escriben sin comas, no admiten fracciones y los valores
negativos se indican por una barra sobre el número.
Dirección especifica se escribe [hkl] y familia de direcciones <hkl>
• El origen del vector debe estar en el origen del sistema de coordenada.
• Ir desde el punto hasta el origen del sistema de coordenadas.
• Determinar la longitud de vector proyectado en las dimensiones de la celda unidad (a, b, c)
• Remover las unidades y así obtener los índices de Miller; ej. [u v w]
• u v w son divididos y multiplicados por factores comunes para
reducirse a los valores enteros menores posibles.
INDICES DE MILLER – DIRECCIONES CRISTALOGRÁFICAS
REGLAS PARA DEFINIR UNA DIRECCIÓN CRISTALOGRÁFICA
Direcciones: [uvw]
Familia de direcciones: <uvw>
INDICES DE MILLER – DIRECCIONES CRISTALOGRÁFICAS
a) (1,1,0) –(0,0,0) = [110]
(1,0,0) –(0,0,0) = [100]
b) (1,1,1) –(0,0,0) = [111] c) (1, ½ ,0) 2 (1, ½ ,0) = [210]
(2,1,0) –(0,0,0) = [210]
d) ( -𝟏, -𝟏,0) –(0,0,0) = [ 𝟏𝟏0]
X Y Z
Proyecciones
INDICES DE MILLER – DIRECCIONES CRISTALOGRÁFICAS
INDICES DE MILLER – DIRECCIONES CRISTALOGRÁFICAS
INDICES DE MILLER – DIRECCIONES CRISTALOGRÁFICAS
Observaciones sobre los índices de Miller para las direcciones:
x
x
x
INDICES DE MILLER
DIRECCIONES EN HCP
Se usan 4 ejes
(hkil)
3 ejes basales y uno vertical
INDICES DE MILLER
DIRECCIONES EN HCP
INDICES DE MILLER
DIRECCIONES EN HCP EN PLANO BASAL
INDICES DE MILLER
DIRECCIONES EN HCP EN PLANO BASAL
INDICES DE MILLER
DIRECCIONES EN HCP EN PLANO BASAL
X
y
[100]
h´k´ l´
INDICES DE MILLER
X
y
DIRECCIONES EN HCP EN PLANO BASAL Z
INDICES DE MILLER
DIRECCIONES EN HCP EN PLANO BASAL
[100]
h´k´ l´
2/3
-1/3
-1/3
0
[2110]
- -
EMPAQUETAMIENTO COMPACTO
¿Por qué se favorecen las estructuras densamente
compacta?
Más del 60% de todo los sólidos metálicos
tienen una estructura compacta, en la cual
cada átomo toca sus 12 vecinos más
cercanos.
ESTRUCTURA CRISTALINA
EMPAQUETAMIENTO COMPACTO
ESTRUCTURA CRISTALINA
En un plano compacto todos los átomos están en contacto uno con otros.
NÚMERO DE COORDINACIÓN (NC)
NC
2
3
4
NC
6
8
Es el número de vecinos cercanos que están en contacto directo con un átomo en
particular.
Número de coordinación (NC)
ESTRUCTURA CRISTALINA
BCC
Número de coordinación (NC)
ESTRUCTURA CRISTALINA
NC = 8
Máxima densidad de empaquetamiento para esferas del
mismo tamaño de estructuras FCC y HCP.
Número de coordinación (NC)
ESTRUCTURA CRISTALINA
NC = 12
FCC
HCP
(111)
Enlaces rotos: 3
(110)
5
NC: 9
(100)
4
8 7
FCC
Incremento estabilidad
superficial
ESTRUCTURA CRISTALINA
Densidad planar =
# átomos en el plano (área átomos)
Área del plano
PLANOS CRISTALOGRÁFICOS – DENSIDAD PLANAR
a
a
Área círculo =2  r2
Átomo
¼
¼
Los procesos de deformación de los materiales
se producen en planos de densidad planar alta.
FCC
PLANOS CRISTALOGRÁFICOS – DENSIDAD LINEAL
(Los átomos se consideran círculos, no esferas)
(La línea debe pasar a través del centro del átomo)
a
( )
a
FCC
INTRODUCCIÓN A LA DIFRACCIÓN
Reflexión
Refracción
Absorción y re-
irradiación
Difracción
Fenómeno característico de las ondas que se basa en el curvado y esparcido
de las ondas cuando atraviesan una rejilla cuyo tamaño es del orden de l,
alejándose así del comportamiento de rayos rectilíneos.
FENÓMENOS DE DIFRACCIÓN
(Del latin ”diffractus” que
significa quebrado)
Onda alta frecuencia  direccionales  se difractan menos y una persona en la calle no puede
escuchar .
FENÓMENOS DE DIFRACCIÓN
Baja frecuencia son omnidireccionales y se difractan (doblan
la esquina), la persona de la calle escucha el sonido.
Calle
Una onda (l) es la transmisión de energía (perturbación) a través
de un medio.
Frente de onda
l
l
Universitat Politécnica de Valéncia (UPV)
A = amplitud
FENÓMENOS DE DIFRACCIÓN
Valle
Mínima Intensidad
Pico
Máxima intensidad (brillo)
Perturbación
FENÓMENOS DE DIFRACCIÓN
Frente de onda plana
avanzando un l
l
Adaptado de physics-animations.com
Valle
Pico
(cresta)
Frente de onda plana
avanzando un l
l
Adaptado de physics-animations.com
Valle
Pico
(cresta)
FENÓMENOS DE DIFRACCIÓN
l
Interferencia
destructiva
Interferencia
constructiva
Interferencia
constructiva
Apertura
Frente de onda plana
avanzando un l
l
Adaptado de physics-animations.com
Valle
Pico
(cresta)
FENÓMENOS DE DIFRACCIÓN
l
Interferencia
destructiva
Interferencia
constructiva
Interferencia
destructiva
Apertura
Ondas que se encuentran en P e interfieren
X2
FENÓMENOS DE DIFRACCIÓN
F1 F2
X1
P
=
+
En fase
Interferencia
constructiva
Interferencia
destructiva
+
180º desfasado =
FENÓMENOS DE DIFRACCIÓN
Onda 2
Onda 1
Onda 1
Onda 2
 2
A = A1 + A2 + 2 A1 A2 cos(jo)
2 2
jo = k (x2 - x1)
K = 2/l # onda)
(x2-x1) = Diferencia en el
recorrido de las 2 ondas
Amplitud (A) resultante de la suma de 2 ondas:
Interferencia constructiva
A = A1 + A2
4
(x2 – x1) = n l
cos(jo) = 1
Interferencia destructiva
A = A1 - A2
La “A” resultante es máxima cuando:
jo = n 2
(x2 – x1) = (2n + 1) (l/2)
La “A” resultante es mínima cuando:
cos(jo) = -1 jo = (2n+1)
FENÓMENOS DE DIFRACCIÓN
La A resultante va depender de jo, de la diferencia en el recorrido (l) que tiene una
onda con respecto a la otra en el punto de encuentro.
FENÓMENO DE DIFRACCIÓN
L
Observación
L = longitud de cámara
FENÓMENO DE DIFRACCIÓN
L
FENÓMENO DE DIFRACCIÓN
L
Si la apertura < que la l, la luz difractará
alrededor del orificio (Principio Huygens).
FENÓMENO DE DIFRACCIÓN
L
Rejilla con espaciamiento más estrechos
(orificio mucho < l
Equivalente a una distancia
interplanar pequeña
Orientación
vertical
FENÓMENO DE DIFRACCIÓN
L
Líneas orientadas verticalmente
dispersa luz perpendicular a la
orientación de la línea.
Indica tamaño de la estructura y orientación de la estructura
> Ángulo
dispersión
Rejilla con espaciamiento más estrechos
(orificio mucho < l
Equivalente a una distancia
interplanar pequeña
Orientación
vertical
FENÓMENO DE DIFRACCIÓN
l L
a
=
X
L
X
a
Inversamente proporcionar a
la rejilla
FENÓMENO DE DIFRACCIÓN
L
Si se cambia la orientación de la rejilla, a una
posición horizontal  reflexión cambia
FENÓMENO DE DIFRACCIÓN
L
2 dimensiones
L
FENÓMENO DE DIFRACCIÓN
L
FENÓMENO DE DIFRACCIÓN
Ej. Plano (100) Cúbico simple
Una sola rendija Hexagonal Circular
Apertura cuadrada
DIFRACCIÓN A TRAVÉS DIFERENTES APERTURAS
FENÓMENO DE DIFRACCIÓN
3 dimensiones
FENÓMENO DE DIFRACCIÓN
Patrón de difracción sin indexar
2q
FENÓMENO DE DIFRACCIÓN
q = ángulo de Bragg
El patrón de difracción es
la red reciproca.
FENÓMENO DE DIFRACCIÓN
A > espaciamiento de los átomos  los puntos de la red reciproca se acercan mucho más.
FENÓMENO DE DIFRACCIÓN
Si se añade otro átomo sin cambiar la periodicidad del cristal  posición de los puntos no
cambian , pero su intensidades varían
FENÓMENO DE DIFRACCIÓN
Para materiales amorfos el patrón de difracción son anillos difusos
DIFRACCIÓN – MODELO DE BRAGG
Muestra
cristalina
DIFRACCIÓN – MODELO DE BRAGG
Plano red
cristalina
Muestra
cristalina
La red cristalina se comporta como una apertura de difracción, en donde sus planos actúan
como espejos semitransparentes que reflejan los rayos X , pero solo en algunas posiciones
dhkl
DIFRACCIÓN – MODELO DE BRAGG
Plano red
cristalina
Muestra
cristalina
dhkl
DIFRACCIÓN – MODELO DE BRAGG
Plano red
cristalina
Muestra
cristalina
dhkl
Ondas incidentes
en fase
Plano red
cristalina dhkl
Muestra
cristalina
DIFRACCIÓN – MODELO DE BRAGG
Ondas incidentes
en fase
Ondas reflejadas
en fase
l
Para que exista reflexión cooperativa, es necesario que tras la reflexión, ambas ondas deben
seguir estando en fase.
Plano red
cristalina dhkl
Muestra
cristalina
DIFRACCIÓN – MODELO DE BRAGG
Ondas incidentes
en fase
Ondas reflejadas
en fase
Diferencia del recorrido (x2-x1)
(Longitud extra del recorrido)
DIFRACCIÓN – MODELO DE BRAGG
Plano red
cristalina dhkl
Muestra
cristalina
Ondas incidentes
en fase
Ondas reflejadas
en fase
qB
qB
A
B
C
qB
AB = BC  2AB = n.l
Pero 2AB = 2.d.sen q  n.l = 2.d. sen q
Para que el haz reflejado este en fase, la diferencia de camino, AB+ BC = n l
n = 1, 2, 3… (n = orden de difracción).
DIFRACCIÓN – MODELO DE BRAGG
n l
2 d sen q =
0  sen q  1
= l
2d
sen q
l
2d
0   1

l  2d (nm)
Para l = 2d, máximo l permitido para condiciones Bragg
Diferencia en el paso,
garantiza interferencia
constructiva
La ley de Bragg es una condición necesaria pero no suficiente para que se produzca difracción.
Define la condición de difracción para celdas unidad primitivas, esto es, aquellas redes de
Bravais con puntos reticulares sólo en los vértices de la celda unidad, como la cúbica simple y
la tetragonal simple.
Las estructuras cristalinas con celdas unidad no primitivas tienen átomos en puntos reticulares
adicionales situados a lo largo de las aristas, en las caras o en el interior de la celda unidad. Los
centros de dispersión adicionales pueden provocar difracción fuera de fase para ciertos
ángulos de Bragg. El resultado es que parte de la difracción que predice la Ecuación de Bragg
no tiene lugar.
DIFRACCIÓN – MODELO DE BRAGG
n l
2 d sen q =
DIFRACCIÓN – MODELO DE BRAGG
n l
2 d sen q =
La magnitud “dhkl” es una función directa de los índices de Miller del
plano y de los parámetros reticulares del cristal particular que se trate.
Cúbico
Tetragonal
Hexagonal
Distancia entre planos adyacentes
DIFRACCIÓN – MODELO DE BRAGG
Simetría del sistema
cristalino
“a”, “c” = parámetros reticulares
A menor sean los índice de los planos (hkl) , mayor es la distancia interplanar.
Los planos de mayor distancia interplanar, dhkl, son aquellos de mayor densidad planar.
Distancia entre planos adyacentes
DIFRACCIÓN – MODELO DE BRAGG
Distancia entre planos adyacentes
DIFRACCIÓN – MODELO DE BRAGG
DIFRACCIÓN – MODELO DE BRAGG
Reglas de reflexión de la difracción de rayos X para las estructuras BCC, FCC y HCP
Por razones de interferencia entre radiaciones difractadas de distinto orden, no
todos los planos son observables. Cada tipo de estructura cristalina dispone de unos
planos definidos que producen difracción.
Esta condición permite conocer si una estructura cúbica es BCC o es FCC
Condiciones de los planos para tener difracción de Bragg
2q
Para sistema cúbico
dhkl
Incrementa
dhkl = distancia interplanar
(+)
(-)
Bajo
índices
Alto
índices
DIFRACCIÓN – MODELO DE BRAGG
Relación entre el dhkl de la ec. Bragg y los índice de Miller
Para sistema cúbico
FCC - Au
A > sean los índice de
los planos (hkl) , < es la
distancia interplanar.
Densidad planar
(+)
(-)
DIFRACTOMETRÍA DE RAYOS X (DRX)
Método de análisis de polvo por DRX
DIFRACTÓMETRO DE RAYOS X (DRX)
1. Goniómetro, 2. fuente rayos X, 3. rendija de dispersión, 4. rendija de antidispersion, 5.
rendija del detector, 6. monocromador, 7. sujetador de muestras y 8. detector (contador de
radiación).
DIFRACTÓMETRO DE RAYOS X (DRX)
DIFRACTOMETRÍA DE RAYOS X (DRX)
Aplicaciones:
 Cristalino o amorfo
 Identificación de material desconocido
 Determinación del tipo estructura
 Determinación del parámetro de red
 Determinación de textura de materiales policristalinos
 Orientación de monocristales
 Determinación de tamaño de granos
 Análisis cuantitativo
 Esfuerzo residuales
 Transformaciones orden-desorden
DIFRACTOMETRÍA DE RAYOS X (DRX)
Estructura cristalina
Picos puntiagudos
Amorfo, loma ancha alrededor
de los espaciamientos más
probables.
Usado en polímeros, vitrocerámica.
Puede determinar % cristalinidad.
Cristalino o amorfo
DIFRACTOMETRÍA DE RAYOS X (DRX)
Resultados arrojados por un difractómetro
DIFRACTOMETRÍA DE RAYOS X (DRX)
Resultados arrojado por un difractómetro
DIFRACTOMETRÍA DE RAYOS X (DRX)
Tarjeta XRD JCPDS (Comité Conjunto sobre Estándares de Difracción de Polvo)
DIFRACTOMETRÍA DE RAYOS X (DRX)
Espectro de difracción de una muestra de polvo de aluminio
Difractograma
Interferencia
destructiva
Los planos (índices) van apareciendo en
orden de menor a mayor en función q.
Perfil de los picos, altura y forma (ancho pico) son
el resultado de la combinación de factores
basados en la microestructura de la muestra,
como tamaño cristales y esfuerzo residuales.
(Planos, todos pares
o todos impares)
Si en la muestra analizada hay varios compuestos, en el difractograma se mostrarán
los picos de difracción correspondientes a cada una de las estructuras .
H = Halita (NaCl)
S = Silvita (KCl)
DIFRACTOMETRÍA DE RAYOS X (DRX)
Ejemplos
DIFRACTOMETRÍA DE RAYOS X (DRX)
DIFRACTOMETRÍA DE RAYOS X (DRX)
Mediante un difractómetro se analizó una muestra de polvo de un metal desconocido,
obteniéndose el espectro de difracción mostrado abajo. El l usado = 0,1542 nm.
Calcular:
 El tipo de estructura cúbica del metal analizado.
 Los tres primeros planos que producen difracción.
 El parámetro de red “a”, sabiendo que la muestra
pertenece al sistema cúbico.
 El radio atómico del metal.
 A que metal pertenece la muestra.
2q
DIFRACTOMETRÍA DE RAYOS X (DRX)
Determinar si el material es BCC o FCC
Suponemos primero que la estructura es BCC y usamos el primer pico (110) y el segundo
(200) y hacemos lo mismo para FCC..
Para FCC  = 0,75
DIFRACTOMETRÍA DE RAYOS X (DRX)
Determinar si el material es BCC o FCC
Sen2 (19,3)
Sen2 (22,45)
 0,75
(seno(radianes(19,3))^2)
q en radianes
Estructura FCC
= 0,75

FCC
Ya que es FCC, podemos asignar a cada pico su
respectivo plano, según la tabla, el primer pico
pertenece a (111), y así sucesivamente.
Comparamos con los ángulos del Difractograma
DIFRACTOMETRÍA DE RAYOS X (DRX)
FCC
Los tres primeros planos que producen la difracción.
DIFRACTOMETRÍA DE RAYOS X (DRX)
Calcular los tres primeros planos que producen la difracción.
n l
2 d sen q =
d = n l/2 sen q
1 d (nm)
(111)
(200)
(220)
(hkl)
Según
tabla
Para ello se calcula las distancias
inter-planares para los ángulos dados:
0,234
0,202
0,143
DIFRACTOMETRÍA DE RAYOS X (DRX)
d(111)= 12+12+12
a = 0,234
Cálculo del parámetro de red “a”, sabiendo que la muestra pertenece al sistema
cúbico.
Sen2 (q)  = 0,404 nm
3
a
=  a = 0,404 nm
Cálculo del radio atómico del metal FCC
= 0,143 nm

DIFRACTOMETRÍA DE RAYOS X (DRX)
Verificamos en tabla a que elemento corresponde
el parámetro de red y radio calculado, y
encontramos que corresponde al Aluminio
Fin
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  • 3. IMPORTANCIA DE LA ESTRUCTURA CRISTALINA Grafito Diamante
  • 4. Pared frisada (Macroestructura) Analogía para recordar MICROESTRUCTURA DEL METAL
  • 5. Pared frisada (Macroestructura) Unidad repetitiva: bloque Analogía para recordar MICROESTRUCTURA DEL METAL
  • 6. Barra de metal Superficie atacada Estructura policristalina del metal Grano o Cristal MICROESTRUCTURA DEL METAL
  • 7. Estructura policristalina del metal Barra de metal
  • 8. ¿QUÉ ES LO QUE CARACTERIZA A UN CRISTAL? Monocristal CRISTAL Analogía para recordar
  • 10. Grano ESTRUCTURA A ESCALA ATÓMICA Estructura cristalina Microestructura Red de átomos
  • 13. FCC ESTRUCTURA CRISTALINA FCC La estabilización de un átomo con los átomos vecinos es tanto mayor cuando se adoptan formas más regulares  Ordenamiento cristalino, minimiza la energía total interatómica.
  • 14. ESTRUCTURA CRISTALINA FCC ½ 1/8 Factor de empaquetamiento (espacio ocupado por átomos) = 74%  26% espacio vacío
  • 16. Translación eje X Celda unidad Translación eje Z Translación eje Y La repetición regular del patrón, llamado celda unitaria, se denomina red cristalina Orden de largo alcance RED CRISTALINA Repetición de la celda unitaria Los cristales tienen simetría traslacional:
  • 17. La celda unidad se define geométricamente por 6 parámetros (parámetros de red): • tres ejes cristalográficos (a, b y c) • tres ángulos interaxiales (a, b, g). PARÁMETROS RETICULARES Esquema Celda unitaria Ejes cristalográficos (x, y, z) (Origen de los ejes es arbitrario)
  • 18. Estructuras cúbicas a = b = c a b c PARÁMETROS RETICULARES Ejes cristalográficos a, b, c, son los parámetros de la red (dimensiones de cada uno de los lados de la celda) Z X y Volumen = a3
  • 19. Espacio vacío: 26% de la celda FCC SITIOS INTERSTICIALES EN LA ESTRUCTURA FCC
  • 21. OCTAÉDRICO Átomos del metal Intersticios octaédrico (4) (Punto medio de cada borde y en el centro) TETRAÉDRICO Intersticios tetraédrico (8) Átomos del metal (Entre una esquina y tres átomos centrados en la cara)
  • 22.
  • 23. Átomos de soluto en una posición intersticial Octaédrico
  • 24. SITIOS INTERSTICIALES EN LA ESTRUCTURA FCC
  • 25. SITIOS INTERSTICIALES EN LA ESTRUCTURA FCC Átomos de soluto en una posición intersticial Octaédrica
  • 26. Radio Intersticio = 32.2 nm Intersticio Tetraédrico Átomo intersticial octaédrica 59,2 nm es radio del átomo más grande que pueda entrar en este sitio Al
  • 27. Solución sólida – analogía Solución sólida FORMACIÓN DE SOLUCIÓN SÓLIDA
  • 28. Solución sólida – analogía FORMACIÓN DE SOLUCIÓN SÓLIDA
  • 29. Corresponde a un arreglo infinito de puntos ubicados de forma tal que el entorno de cada punto es idéntico al entorno de cada uno de los otros puntos de la red. REDES Patrón periódico Celda unitaria: es el espacio que llena un paralelepípedo con origen en un punto de la red y con sus bordes definidos por tres vectores base no coplanares (a, b y c), cada uno de los cuales representa traslaciones entre dos puntos de red.
  • 30. CELDAS Red 2D El paralelogramo que se define por a y b (vectores básicos de la red) = celda unidad Definición de celda primitiva: corresponde a la celda unidad que contiene solo un punto de la red. Las que contienen más de un punto se denominan múltiples o centradas.
  • 31. Bravais demostró en 1848 que sólo hay 14 tipos de redes ó formas únicas posibles en la que los puntos (base) pueden distribuirse periódicamente en el espacio. Augusto Bravais (1811-1863) REDES DE BRAVAIS
  • 32. Cúbico centrado en el cuerpo (BCC) LOS 14 REDES ESPACIALES DE BRAVAIS Cúbico simple (Polonio) Cúbico centrado en la cara (FCC) Ortorrómbico simple Ortorrómbico centrado en el cuerpo Ortorrómbico centrado en la base Ortorrómbico centrado en la cara
  • 33. Tetragonal simple Hexagonal Tetragonal centrado en el cuerpo LOS 14 REDES ESPACIALES DE BRAVAIS Romboédrico Monoclínico simple Monoclínico centrado en la base Triclínico
  • 34. SISTEMAS CRISTALINOS Y REDES DE BRAVAIS Todos los cristales que existen en la naturaleza se pueden agrupar en 7 sistemas cristalinos.
  • 35. ESTRUCTURA CRISTALINA Estructura cristalina: se obtiene poniendo los átomos de la base en cada punto de la red. Estructura cristalina = red + base Base o motivo: un átomo o un grupo de dos o más átomos localizados de manera particular cada uno con respecto a otro, y asociados con cada punto de la red.
  • 36. ESTRUCTURA CRISTALINA BCC Factor de empaquetamiento = 68%  32% espacio vacío > FCC
  • 37. HEXAGONAL COMPACTO (HCP) Factor de empaquetamiento = 74%  26% espacio vacío Vista de planta Plano Basal a C Prismático “a” y “c” parámetros reticulares c/a = 1,633 (ideal)
  • 38. Fracción de espacio ocupado por átomos FACTOR DE EMPAQUETAMIENTO (F.E) (a . b . c)
  • 39. Fracción de espacio ocupado por átomos FACTOR DE EMPAQUETAMIENTO (F.E) Requiere calcular el # átomos por celda unitaria En función al radio del átomo (a . b . c) Volumen debe estar en función del radio.
  • 40. ÁTOMOS POR CELDAS UNITARIAS
  • 41. Los átomos se deben tocar a lo largo de la diagonal de la cara del cubo a = r r a 4r 4r  ¿Diagonal cara cubo? RELACIÓN PARÁMETRO DE RED CON RADIO ATÓMICO 2 a =
  • 42.     74 0 2 3 2 4 4 4 3 3 3 4 3 3 3 4 . r a r . F . P                F.E r FACTOR DE EMPAQUETAMIENTO (F.E) Para la estructura FCC  74% 26% de la celda unitaria FCC es espacio vacio
  • 43. 3 4 r a =     68 0 8 3 3 4 2 2 3 3 3 4 3 3 3 4 . r a r . F . P                ¿Diagonal del cubo? a F.E 4r= 3 a Los átomos se deben tocar a lo largo de la diagonal del cubo F.E para la estructura BCC FACTOR DE EMPAQUETAMIENTO (F.E) r  68% 32% es espacio vacio  BCC 2 a
  • 44. FACTOR DE EMPAQUETAMIENTO (F.E) FRACCIÓN DE VOLUMEN DISPONIBLE OCUPADO POR ESFERA CÚBICO SIMPLE 0,52 CENTRADO CUERPO 0,68 CENTRADO CARA 0,74
  • 45. POLIMORFISMO: Capacidad de un material sólido de existir en más de una estructura cristalina, todas ellas con la misma composición. Del Griego “Poli” (varios) y “Morfos” (formas) = muchas formas. El cambio es irreversible El ej. clásico es el carbono, que presenta 4 polimorfos con propiedades muy diferentes entre si: Diamante, grafito, fullerenos y nanotubos. POLIMORFISMO O ALOTROPÍA
  • 46. Cuando el fenómeno de polimorfismo se da en los elementos químicos puros. El cambio en estructura es reversible (Enantrópica). ALOTROPÍA: Ej.: Fe, Sn, Mn, Co, Ti POLIMORFISMO O ALOTROPÍA Transformación alotrópica del hierro puro Cada cambio es un ejemplo de transformación de fase.
  • 47. Fe d Fe g Fe b Fe a Tiempo Temperatura L Responsable del que Fe a cristalice en BCC y no en HCP Estable a causa de su ordenamiento Ferromagnético ESTADO ALOTRÓPICO DEL HIERRO (BCC) (FCC) (BCC) Curva de enfriamiento del hierro puro
  • 48. ALOTROPÍA Y POLIMORFISMO Cada material escoge aquella estructura que proporciona la menor energía. Van acompañada de un cambio de volumen BCC BCC BCC FCC
  • 49. Variación del volumen de los átomos de hierro con la temperatura Cambio en el volumen atómico de aprox. 1%  tensiones internas durante la transformación. ESTADO ALOTRÓPICO DEL HIERRO Temperatura (oC)
  • 50. El polimorfismo ó alotropía son los que justifican ó hacen posible los tratamientos térmicos  y por lo tanto las transformaciones de fases En general, aunque no siempre, la fase de empaquetamiento más compacto es estable a bajas temperaturas y las de menor empaquetamiento, estables a temperaturas más elevadas POLIMORFISMO O ALOTROPÍA La baja direccionalidad de los enlaces que forman los iones metálicos explica porque el polimorfismo sea frecuente en diversas condiciones de presión y temperatura.
  • 51. Cambio de Sn blanco (Sn-b, tetragonal), habitual a temperatura ambiente, a Sn gris frágil (Sn a, cúbico), que aparece a temperaturas inferiores a 14,2ºC con tiempos prolongados de exposición. ALOTROPÍA Y POLIMORFISMO Peste del estaño Campaña de Napoleón en Rusia, 1812
  • 52. ANALOGÍA MECÁNICA DE LA ESTRUCTURA CRISTALINA Es necesario especificar ciertos planos y direcciones en los cristales. Planos cristalográficos d d= distancia interplanar Dirección cristal.
  • 53. Many phenomena in materials are associated with or occur preferentially on specific crystallographic planes. For example, brittle cleavage cracks readily nucleate and grow on (100) planes in MgO crystals. Silicon oxidizes more rapidly on the (111) plane than on the (100) plane. Crystal growth is frequently favored on one plane relative to others. Microelectronic (e.g., transistor) and optoelectronic (e.g., laser) device fabrication can be reliably accomplished only on specific semiconductor planes. Regardless of application, the important planes are usually the most atomically dense ones (i.e., high APD). Such planes are also ones of low index.
  • 54. Método: i. Expresar los cortes del plano con los ejes en unidades de los parámetros de red de la celda unidad. ii. Calcular los inversos de estos valores. iii. Reducir los inversos a los menores enteros en la misma proporción. INDICES DE MILLER PLANOS DE LA RED Los planos cristalográficos se pueden identificar por tres índices de Miller. Se utiliza la nomenclatura: (h k l) y para familia planos {hkl}
  • 55. • Si no se cumple lo anterior, el plano debe trasladarse o se necesita un origen. • Determinar los puntos de intersección del plano con los ejes cristalográficos en • Determinar el recíproco (1/a 1/b 1/c 1/∞). • Reducir al menor numero posible según factor común o mínimo común múltiplo. REGLAS PARA DEFINIR UN PLANO CRISTALOGRÁFICO INDICES DE MILLER – PLANOS CRISTALOGRÁFICOS función de a, b, c, o infinito, si es paralelo a alguno de los ejes. El plano debe interceptar o ser paralelo a cualquier eje.
  • 56. INDICES DE MILLER – PLANOS CRISTALOGRÁFICOS (200)
  • 57. Los puntos verdes indican dónde se ubicó el origen. INDICES DE MILLER – PLANOS CRISTALOGRÁFICOS Planos: (hkl) Familia de planos {hkl} Notación
  • 58. Planos con índices de signo opuesto son equivalentes INDICES DE MILLER – PLANOS CRISTALOGRÁFICOS
  • 59. • Cara rosa: (1/1, 1/∞, 1/∞) = (100) • Cara verde: (1/∞, 1/∞, 1/1) = (001) • Cara amarilla: (1/∞, 1/1, 1/∞) = (010) INDICES DE MILLER – PLANOS CRISTALOGRÁFICOS Planos paralelos = tienen los mismos índices de Miller
  • 60. Intercepción: (1,1, ∞) (110) Intercepción = (1,1,1)  (111) INDICES DE MILLER – PLANOS CRISTALOGRÁFICOS
  • 61. INDICES DE MILLER – PLANOS CRISTALOGRÁFICOS
  • 62. INDICES DE MILLER – PLANOS CRISTALOGRÁFICOS
  • 63. En los sistemas cúbicos, una dirección que tiene los mismos índices que un plano es perpendicular a dicho plano. INDICES DE MILLER – PLANOS CRISTALOGRÁFICOS Los planos de índices de Miller bajos son los más espaciados entre si (planos más compacto y espaciado entre si). Observaciones sobre los índices de Miller para los planos Los planos y sus negativos son idénticos (en el caso de las direcciones eso no es cierto). Por tanto, (020) = (020) Existen planos que son equivalentes, formando familias de planos, ej. Los diferentes planos de la familia {110} en sistemas cúbicos son: (110), (101), (011), (1-10), (10-1), (01-1). Los planos y sus múltiplos no son idénticos (en el caso de las direcciones si lo son). (100) no es lo mismo que (200). En el sistema cúbico, (hkl) es perpendicular [hkl]
  • 64. Se usan 4 ejes (hkil) EJES COORDENADAS HCP Índices de Miller-Bravais 3 ejes basales y uno vertical
  • 67. Planos basales y planos del prisma EJES COORDENADAS HCP
  • 70. INDICES DE MILLER Las direcciones son vectores que conectan dos puntos de red en un sentido preestablecido. Direcciones comunes en una celda unitaria cúbica DIRECCIONES DE LA RED
  • 71. Los Índices de Miller representan una notación cristalográfica que permite describir cualquier plano o dirección espacial por un conjunto de tres números enteros, denominados Índices de Miller. Las propiedades de los materiales cristalinos y ciertos procesos fisicoquímicos asociados a los sólidos cristalinos suelen depender de las direcciones cristalográficas. Las propiedades de un material serán las mismas a lo largo de una familia de direcciones cristalográficas. Para materiales cristalinos uniformes, todas las direcciones paralelas tendrán las mismas propiedades. INDICES DE MILLER – DIRECCIONES CRISTALOGRÁFICAS
  • 72. Los metales se deforman, por ejemplo, en aquellas direcciones a lo largo de las cuales los átomos están en contacto directo (direcciones compactas). Las propiedades magnéticas del hierro y otros materiales dependen de la dirección. Es más fácil magnetizar al hierro en la dirección [100] que en las direcciones [111] o [110]. INDICES DE MILLER – DIRECCIONES CRISTALOGRÁFICAS Los índices se escriben sin comas, no admiten fracciones y los valores negativos se indican por una barra sobre el número. Dirección especifica se escribe [hkl] y familia de direcciones <hkl>
  • 73. • El origen del vector debe estar en el origen del sistema de coordenada. • Ir desde el punto hasta el origen del sistema de coordenadas. • Determinar la longitud de vector proyectado en las dimensiones de la celda unidad (a, b, c) • Remover las unidades y así obtener los índices de Miller; ej. [u v w] • u v w son divididos y multiplicados por factores comunes para reducirse a los valores enteros menores posibles. INDICES DE MILLER – DIRECCIONES CRISTALOGRÁFICAS REGLAS PARA DEFINIR UNA DIRECCIÓN CRISTALOGRÁFICA Direcciones: [uvw] Familia de direcciones: <uvw>
  • 74. INDICES DE MILLER – DIRECCIONES CRISTALOGRÁFICAS a) (1,1,0) –(0,0,0) = [110] (1,0,0) –(0,0,0) = [100] b) (1,1,1) –(0,0,0) = [111] c) (1, ½ ,0) 2 (1, ½ ,0) = [210] (2,1,0) –(0,0,0) = [210] d) ( -𝟏, -𝟏,0) –(0,0,0) = [ 𝟏𝟏0] X Y Z Proyecciones
  • 75. INDICES DE MILLER – DIRECCIONES CRISTALOGRÁFICAS
  • 76. INDICES DE MILLER – DIRECCIONES CRISTALOGRÁFICAS
  • 77. INDICES DE MILLER – DIRECCIONES CRISTALOGRÁFICAS Observaciones sobre los índices de Miller para las direcciones: x x x
  • 78. INDICES DE MILLER DIRECCIONES EN HCP Se usan 4 ejes (hkil) 3 ejes basales y uno vertical
  • 80. INDICES DE MILLER DIRECCIONES EN HCP EN PLANO BASAL
  • 81. INDICES DE MILLER DIRECCIONES EN HCP EN PLANO BASAL
  • 82. INDICES DE MILLER DIRECCIONES EN HCP EN PLANO BASAL X y [100] h´k´ l´
  • 83. INDICES DE MILLER X y DIRECCIONES EN HCP EN PLANO BASAL Z
  • 84. INDICES DE MILLER DIRECCIONES EN HCP EN PLANO BASAL [100] h´k´ l´ 2/3 -1/3 -1/3 0 [2110] - -
  • 85. EMPAQUETAMIENTO COMPACTO ¿Por qué se favorecen las estructuras densamente compacta? Más del 60% de todo los sólidos metálicos tienen una estructura compacta, en la cual cada átomo toca sus 12 vecinos más cercanos. ESTRUCTURA CRISTALINA
  • 86. EMPAQUETAMIENTO COMPACTO ESTRUCTURA CRISTALINA En un plano compacto todos los átomos están en contacto uno con otros.
  • 87. NÚMERO DE COORDINACIÓN (NC) NC 2 3 4 NC 6 8 Es el número de vecinos cercanos que están en contacto directo con un átomo en particular.
  • 88. Número de coordinación (NC) ESTRUCTURA CRISTALINA
  • 89. BCC Número de coordinación (NC) ESTRUCTURA CRISTALINA NC = 8
  • 90. Máxima densidad de empaquetamiento para esferas del mismo tamaño de estructuras FCC y HCP. Número de coordinación (NC) ESTRUCTURA CRISTALINA NC = 12 FCC HCP
  • 91. (111) Enlaces rotos: 3 (110) 5 NC: 9 (100) 4 8 7 FCC Incremento estabilidad superficial ESTRUCTURA CRISTALINA
  • 92. Densidad planar = # átomos en el plano (área átomos) Área del plano PLANOS CRISTALOGRÁFICOS – DENSIDAD PLANAR a a Área círculo =2  r2 Átomo ¼ ¼ Los procesos de deformación de los materiales se producen en planos de densidad planar alta. FCC
  • 93. PLANOS CRISTALOGRÁFICOS – DENSIDAD LINEAL (Los átomos se consideran círculos, no esferas) (La línea debe pasar a través del centro del átomo) a ( ) a FCC
  • 94. INTRODUCCIÓN A LA DIFRACCIÓN
  • 95. Reflexión Refracción Absorción y re- irradiación Difracción Fenómeno característico de las ondas que se basa en el curvado y esparcido de las ondas cuando atraviesan una rejilla cuyo tamaño es del orden de l, alejándose así del comportamiento de rayos rectilíneos. FENÓMENOS DE DIFRACCIÓN (Del latin ”diffractus” que significa quebrado)
  • 96. Onda alta frecuencia  direccionales  se difractan menos y una persona en la calle no puede escuchar . FENÓMENOS DE DIFRACCIÓN Baja frecuencia son omnidireccionales y se difractan (doblan la esquina), la persona de la calle escucha el sonido. Calle
  • 97. Una onda (l) es la transmisión de energía (perturbación) a través de un medio. Frente de onda l l Universitat Politécnica de Valéncia (UPV) A = amplitud FENÓMENOS DE DIFRACCIÓN Valle Mínima Intensidad Pico Máxima intensidad (brillo) Perturbación
  • 98. FENÓMENOS DE DIFRACCIÓN Frente de onda plana avanzando un l l Adaptado de physics-animations.com Valle Pico (cresta)
  • 99. Frente de onda plana avanzando un l l Adaptado de physics-animations.com Valle Pico (cresta) FENÓMENOS DE DIFRACCIÓN l Interferencia destructiva Interferencia constructiva Interferencia constructiva Apertura
  • 100. Frente de onda plana avanzando un l l Adaptado de physics-animations.com Valle Pico (cresta) FENÓMENOS DE DIFRACCIÓN l Interferencia destructiva Interferencia constructiva Interferencia destructiva Apertura
  • 101. Ondas que se encuentran en P e interfieren X2 FENÓMENOS DE DIFRACCIÓN F1 F2 X1 P
  • 102. = + En fase Interferencia constructiva Interferencia destructiva + 180º desfasado = FENÓMENOS DE DIFRACCIÓN Onda 2 Onda 1 Onda 1 Onda 2  2 A = A1 + A2 + 2 A1 A2 cos(jo) 2 2 jo = k (x2 - x1) K = 2/l # onda) (x2-x1) = Diferencia en el recorrido de las 2 ondas Amplitud (A) resultante de la suma de 2 ondas:
  • 103. Interferencia constructiva A = A1 + A2 4 (x2 – x1) = n l cos(jo) = 1 Interferencia destructiva A = A1 - A2 La “A” resultante es máxima cuando: jo = n 2 (x2 – x1) = (2n + 1) (l/2) La “A” resultante es mínima cuando: cos(jo) = -1 jo = (2n+1) FENÓMENOS DE DIFRACCIÓN La A resultante va depender de jo, de la diferencia en el recorrido (l) que tiene una onda con respecto a la otra en el punto de encuentro.
  • 106. FENÓMENO DE DIFRACCIÓN L Si la apertura < que la l, la luz difractará alrededor del orificio (Principio Huygens).
  • 107. FENÓMENO DE DIFRACCIÓN L Rejilla con espaciamiento más estrechos (orificio mucho < l Equivalente a una distancia interplanar pequeña Orientación vertical
  • 108. FENÓMENO DE DIFRACCIÓN L Líneas orientadas verticalmente dispersa luz perpendicular a la orientación de la línea. Indica tamaño de la estructura y orientación de la estructura > Ángulo dispersión Rejilla con espaciamiento más estrechos (orificio mucho < l Equivalente a una distancia interplanar pequeña Orientación vertical
  • 109. FENÓMENO DE DIFRACCIÓN l L a = X L X a Inversamente proporcionar a la rejilla
  • 110. FENÓMENO DE DIFRACCIÓN L Si se cambia la orientación de la rejilla, a una posición horizontal  reflexión cambia
  • 113. L FENÓMENO DE DIFRACCIÓN Ej. Plano (100) Cúbico simple
  • 114. Una sola rendija Hexagonal Circular Apertura cuadrada DIFRACCIÓN A TRAVÉS DIFERENTES APERTURAS
  • 116. FENÓMENO DE DIFRACCIÓN Patrón de difracción sin indexar
  • 117. 2q FENÓMENO DE DIFRACCIÓN q = ángulo de Bragg El patrón de difracción es la red reciproca.
  • 118.
  • 119. FENÓMENO DE DIFRACCIÓN A > espaciamiento de los átomos  los puntos de la red reciproca se acercan mucho más.
  • 120. FENÓMENO DE DIFRACCIÓN Si se añade otro átomo sin cambiar la periodicidad del cristal  posición de los puntos no cambian , pero su intensidades varían
  • 121. FENÓMENO DE DIFRACCIÓN Para materiales amorfos el patrón de difracción son anillos difusos
  • 122. DIFRACCIÓN – MODELO DE BRAGG Muestra cristalina
  • 123. DIFRACCIÓN – MODELO DE BRAGG Plano red cristalina Muestra cristalina La red cristalina se comporta como una apertura de difracción, en donde sus planos actúan como espejos semitransparentes que reflejan los rayos X , pero solo en algunas posiciones dhkl
  • 124. DIFRACCIÓN – MODELO DE BRAGG Plano red cristalina Muestra cristalina dhkl
  • 125. DIFRACCIÓN – MODELO DE BRAGG Plano red cristalina Muestra cristalina dhkl Ondas incidentes en fase
  • 126. Plano red cristalina dhkl Muestra cristalina DIFRACCIÓN – MODELO DE BRAGG Ondas incidentes en fase Ondas reflejadas en fase l Para que exista reflexión cooperativa, es necesario que tras la reflexión, ambas ondas deben seguir estando en fase.
  • 127. Plano red cristalina dhkl Muestra cristalina DIFRACCIÓN – MODELO DE BRAGG Ondas incidentes en fase Ondas reflejadas en fase Diferencia del recorrido (x2-x1) (Longitud extra del recorrido)
  • 128. DIFRACCIÓN – MODELO DE BRAGG Plano red cristalina dhkl Muestra cristalina Ondas incidentes en fase Ondas reflejadas en fase qB qB A B C qB AB = BC  2AB = n.l Pero 2AB = 2.d.sen q  n.l = 2.d. sen q Para que el haz reflejado este en fase, la diferencia de camino, AB+ BC = n l n = 1, 2, 3… (n = orden de difracción).
  • 129. DIFRACCIÓN – MODELO DE BRAGG n l 2 d sen q = 0  sen q  1 = l 2d sen q l 2d 0   1  l  2d (nm) Para l = 2d, máximo l permitido para condiciones Bragg Diferencia en el paso, garantiza interferencia constructiva
  • 130. La ley de Bragg es una condición necesaria pero no suficiente para que se produzca difracción. Define la condición de difracción para celdas unidad primitivas, esto es, aquellas redes de Bravais con puntos reticulares sólo en los vértices de la celda unidad, como la cúbica simple y la tetragonal simple. Las estructuras cristalinas con celdas unidad no primitivas tienen átomos en puntos reticulares adicionales situados a lo largo de las aristas, en las caras o en el interior de la celda unidad. Los centros de dispersión adicionales pueden provocar difracción fuera de fase para ciertos ángulos de Bragg. El resultado es que parte de la difracción que predice la Ecuación de Bragg no tiene lugar. DIFRACCIÓN – MODELO DE BRAGG n l 2 d sen q =
  • 131. DIFRACCIÓN – MODELO DE BRAGG n l 2 d sen q = La magnitud “dhkl” es una función directa de los índices de Miller del plano y de los parámetros reticulares del cristal particular que se trate.
  • 132. Cúbico Tetragonal Hexagonal Distancia entre planos adyacentes DIFRACCIÓN – MODELO DE BRAGG Simetría del sistema cristalino “a”, “c” = parámetros reticulares A menor sean los índice de los planos (hkl) , mayor es la distancia interplanar. Los planos de mayor distancia interplanar, dhkl, son aquellos de mayor densidad planar.
  • 133. Distancia entre planos adyacentes DIFRACCIÓN – MODELO DE BRAGG
  • 134. Distancia entre planos adyacentes DIFRACCIÓN – MODELO DE BRAGG
  • 135.
  • 136. DIFRACCIÓN – MODELO DE BRAGG Reglas de reflexión de la difracción de rayos X para las estructuras BCC, FCC y HCP Por razones de interferencia entre radiaciones difractadas de distinto orden, no todos los planos son observables. Cada tipo de estructura cristalina dispone de unos planos definidos que producen difracción.
  • 137. Esta condición permite conocer si una estructura cúbica es BCC o es FCC Condiciones de los planos para tener difracción de Bragg 2q Para sistema cúbico dhkl Incrementa dhkl = distancia interplanar (+) (-) Bajo índices Alto índices
  • 138. DIFRACCIÓN – MODELO DE BRAGG Relación entre el dhkl de la ec. Bragg y los índice de Miller Para sistema cúbico FCC - Au A > sean los índice de los planos (hkl) , < es la distancia interplanar. Densidad planar (+) (-)
  • 139. DIFRACTOMETRÍA DE RAYOS X (DRX) Método de análisis de polvo por DRX
  • 140. DIFRACTÓMETRO DE RAYOS X (DRX) 1. Goniómetro, 2. fuente rayos X, 3. rendija de dispersión, 4. rendija de antidispersion, 5. rendija del detector, 6. monocromador, 7. sujetador de muestras y 8. detector (contador de radiación).
  • 142. DIFRACTOMETRÍA DE RAYOS X (DRX) Aplicaciones:  Cristalino o amorfo  Identificación de material desconocido  Determinación del tipo estructura  Determinación del parámetro de red  Determinación de textura de materiales policristalinos  Orientación de monocristales  Determinación de tamaño de granos  Análisis cuantitativo  Esfuerzo residuales  Transformaciones orden-desorden
  • 143. DIFRACTOMETRÍA DE RAYOS X (DRX) Estructura cristalina Picos puntiagudos Amorfo, loma ancha alrededor de los espaciamientos más probables. Usado en polímeros, vitrocerámica. Puede determinar % cristalinidad. Cristalino o amorfo
  • 144. DIFRACTOMETRÍA DE RAYOS X (DRX) Resultados arrojados por un difractómetro
  • 145. DIFRACTOMETRÍA DE RAYOS X (DRX) Resultados arrojado por un difractómetro
  • 146. DIFRACTOMETRÍA DE RAYOS X (DRX) Tarjeta XRD JCPDS (Comité Conjunto sobre Estándares de Difracción de Polvo)
  • 147. DIFRACTOMETRÍA DE RAYOS X (DRX) Espectro de difracción de una muestra de polvo de aluminio Difractograma Interferencia destructiva Los planos (índices) van apareciendo en orden de menor a mayor en función q. Perfil de los picos, altura y forma (ancho pico) son el resultado de la combinación de factores basados en la microestructura de la muestra, como tamaño cristales y esfuerzo residuales. (Planos, todos pares o todos impares)
  • 148. Si en la muestra analizada hay varios compuestos, en el difractograma se mostrarán los picos de difracción correspondientes a cada una de las estructuras . H = Halita (NaCl) S = Silvita (KCl) DIFRACTOMETRÍA DE RAYOS X (DRX)
  • 149.
  • 150.
  • 152. DIFRACTOMETRÍA DE RAYOS X (DRX) Mediante un difractómetro se analizó una muestra de polvo de un metal desconocido, obteniéndose el espectro de difracción mostrado abajo. El l usado = 0,1542 nm. Calcular:  El tipo de estructura cúbica del metal analizado.  Los tres primeros planos que producen difracción.  El parámetro de red “a”, sabiendo que la muestra pertenece al sistema cúbico.  El radio atómico del metal.  A que metal pertenece la muestra. 2q
  • 153. DIFRACTOMETRÍA DE RAYOS X (DRX) Determinar si el material es BCC o FCC Suponemos primero que la estructura es BCC y usamos el primer pico (110) y el segundo (200) y hacemos lo mismo para FCC.. Para FCC  = 0,75
  • 154. DIFRACTOMETRÍA DE RAYOS X (DRX) Determinar si el material es BCC o FCC Sen2 (19,3) Sen2 (22,45)  0,75 (seno(radianes(19,3))^2) q en radianes Estructura FCC = 0,75  FCC Ya que es FCC, podemos asignar a cada pico su respectivo plano, según la tabla, el primer pico pertenece a (111), y así sucesivamente. Comparamos con los ángulos del Difractograma
  • 155. DIFRACTOMETRÍA DE RAYOS X (DRX) FCC Los tres primeros planos que producen la difracción.
  • 156. DIFRACTOMETRÍA DE RAYOS X (DRX) Calcular los tres primeros planos que producen la difracción. n l 2 d sen q = d = n l/2 sen q 1 d (nm) (111) (200) (220) (hkl) Según tabla Para ello se calcula las distancias inter-planares para los ángulos dados: 0,234 0,202 0,143
  • 157. DIFRACTOMETRÍA DE RAYOS X (DRX) d(111)= 12+12+12 a = 0,234 Cálculo del parámetro de red “a”, sabiendo que la muestra pertenece al sistema cúbico. Sen2 (q)  = 0,404 nm 3 a =  a = 0,404 nm
  • 158. Cálculo del radio atómico del metal FCC = 0,143 nm  DIFRACTOMETRÍA DE RAYOS X (DRX) Verificamos en tabla a que elemento corresponde el parámetro de red y radio calculado, y encontramos que corresponde al Aluminio
  • 159. Fin