transistores

2. Transistor JFET
• Transistor FET o de efecto de campo (Field effect transistor), El transistor de
efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en inglés) es en realidad una familia
de transistores que se basan en el campo eléctrico para controlar la
conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden
plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial. Tienen
tres terminales, denominadas Puerta (gate), Drenador (drain) y Fuente (source).
• la principal diferencia entre ambos radica en el hecho de que el transistor BJT es
un dispositivo controlado por corriente, mientras que los transistores FET son
dispositivos controlados por tensión. En ambos casos, la corriente del circuito
de salida es controlada por un parámetro del circuito de entrada, en un caso el
nivel de corriente y en el otro el nivel de tensión aplicada.

7. Entre mas
negativo es el
voltaje a través
de la fuente
Vgs, menos
conducirá de
surtidor a
drenador.
se establece una corriente en el
canal N que se forma entre las
regiones de empobrecimiento.
La región de
empobrecimiento
se cierra, por lo
tanto el canal esta
cerrado y no hay
flujo de corriente.

8. al aplicar un voltaje Vds, se
aplica una corriente ID.
Aplicando un Vgs negativo, la
corriente disminuye, obteniendo
una región de estrangulamiento.
Teniendo un Vgs fijo y
un voltaje vds variable,
la corriente no aumenta
porque la corriente se
controla por el Vgs.
Comportándose como
fuente de corriente.
Se controla una
corriente de
drenador a la
fuente a través
del voltaje Vgs.

9. Configuración fija: se agrega una fuente fija
en el voltaje VGS

10. Configuración de autopolarización

11. Polarización por divisor de voltaje