transistores bjt

1. 1.
Simulaciónde medicionesycálculode circuito1.
Vi
0Vpk
1kHz
0°
C1
4.7µF
R3
15kΩ
R2
56kΩ
R4
3.3kΩ
R5
1kΩ
R6
2.7kΩ
C2
10µF
C3
47µF
Q1
BC107BP
V3
15V
R1
1.5kΩ
U1
DC 10MOhm
3.07 V
+ - U2
DC 10MOhm
2.408 V
+ -
U3
DC 10MOhm7.076 V
+
-

2. VALOR MEDIDO CACULOS
VB VE VC IB IC VBE VCE IE
3.07 2.408 7.076 7,994μ 2,404m 0,67 4,67 2,407m
Cálculos .𝑣𝑡ℎ =
15∗15𝑘
(15𝐾+56𝑘)
= 3,17𝑣 𝑅𝑡ℎ =
15𝑘∗56𝑘
15𝑘+56𝑘
= 11,83𝑘
𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 𝐼𝐶 = 𝛽 ∗ 𝐼𝐵 𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝛽𝐼𝐵 𝐼𝐸 = (𝛽 + 1)𝐼𝐵
(𝐿𝑉𝐾 𝐼) − 𝑉𝑇𝐻 + 𝐼𝐵∗ 𝑅𝑇𝐻+ 𝑉𝐵𝐸 + 𝐼𝐶 ∗ 𝑅5 = 0
𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝑇𝐻 − 𝐼𝐵 ∗ 𝑅𝑇𝐻 − 𝐼𝐶 ∗ 𝑅5
𝑉𝐵𝐸 = 3,17 − (7,94 ∗ 11,8𝐾) − (2,4𝑚 ∗ 1𝐾)
𝑉𝐵𝐸 = 0,67( 𝑉) ≅ 0,7(𝑉)
𝛽 = (
𝐼𝐶
𝐼𝐵
) =
2,4𝑚
7,9𝜇
= 303,8
( 𝐿𝐾𝑉 𝐼𝐼) − 𝑉𝐶𝐶 + ( 𝐼𝐶 ∗ 𝑅4) + 𝑉𝐶𝐸 + (𝐼𝐸 ∗ 𝑅5)
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − ( 𝐼𝐶 ∗ 𝑅4) − (𝐼𝐸 ∗ 𝑅5)
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − ( 𝐼𝐶 ∗ 𝑅4) − ( 𝛽 + 1) 𝐼𝐵 ∗ 𝑅5
𝑉𝐶𝐸 = 14 − (2,4𝑚 ∗ 3,3𝐾) − (303,8 + 1)7,9𝜇 ∗ 1𝑘
𝑉𝐶𝐸 = 4,67(𝑉)
Vi
0Vpk
1kHz
0°
C1
4.7µF
R3
15kΩ
R2
56kΩ
R4
3.3kΩ
R5
1kΩ
R6
2.7kΩ
C2
10µF
C3
47µF
Q1
BC107BP
V3
15V
R1
1.5kΩ
U1
DC 1e-009Ohm
7.994u A
+ -
U2
DC 1e-009Ohm
2.404m A
+ -

3. 𝐼𝐸 = (𝛽 + 1)𝐼𝐵
𝐼𝐸 = (303,8 + 1)7,9𝜇
𝐼𝐸 = 2,407𝑚𝐴
2. Segúnlosdatosobtenidosenlatabla1 al calcular nuestrarectade carga el punto
de operaciónQ se encuentraenzona activa donde nuestrotransistor trabajade
formanormal y se cumple que launiónbase-emisor que se encuentrapolarizada
endirectay la colector-base eninversa
3.

4. 𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 𝐼𝐶 = 𝛽 ∗ 𝐼𝐵 𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝛽𝐼𝐵 𝐼𝐸 = (𝛽 + 1)𝐼𝐵
Vi
0Vpk
1kHz
0°
C1
4.7µF
R3
15kΩ
R4
3.3kΩ
R5
1kΩ
R6
2.7kΩ
C2
10µF
C3
47µF
Q1
BC107BP
V3
15V
R1
1.5kΩ
U1
DC 10MOhm
8.91n V
+ -
U2
DC 10MOhm
14.995 V
+ -
U3
DC 10MOhm
0.018u V
+ -
Vi
0Vpk
1kHz
0°
C1
4.7µF
R3
15kΩ
R4
3.3kΩ
R5
1kΩ
R6
2.7kΩ
C2
10µF
C3
47µF
Q1
BC107BP
V3
15V
R1
1.5kΩ
U1
DC 1e-009Ohm
1.121p A
+ -
U2
DC 1e-009Ohm
1.776u A
+ -

5. (𝐿𝑉𝐾 𝐼) − 𝐼𝐵 ∗ 𝑅3 − 𝑉𝐵𝐸 − 𝐼𝐸 ∗ 𝑅5 = 0
𝑉𝐵𝐸 = −𝐼𝐵∗ 𝑅3− 𝐼𝐸 ∗ 𝑅5
𝑉𝐵𝐸 = −(1,121𝑝 ∗ 15𝐾) − (𝐼𝐸 ∗ 1𝐾)
𝑉𝐵𝐸 = −1,77( 𝑚𝑉)
𝛽 = (
𝐼𝐶
𝐼𝐵
) =
1,776𝜇
1,121𝑝
= 1,58 ∗ 10^⁶
( 𝐿𝐾𝑉 𝐼𝐼) 𝑉𝐶𝐶 − ( 𝐼𝐶 ∗ 𝑅4) − 𝑉𝐶𝐸 − ( 𝐼𝐸 ∗ 𝑅5) = 0
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − ( 𝐼𝐶 ∗ 𝑅4) − (𝐼𝐸 ∗ 𝑅5)
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − ( 𝐼𝐶 ∗ 𝑅4) − ( 𝛽 + 1) 𝐼𝐵 ∗ 𝑅5
𝑉𝐶𝐸 = 15 − (1,776𝜇 ∗ 3,3𝐾) − (1,58 ∗ 10^⁶ + 1)1,121𝑝 ∗ 1𝑘
𝑉𝐶𝐸 = 14,99(𝑉)
𝐼𝐸 = (𝛽 + 1)𝐼𝐵
𝐼𝐸 = (1,58 ∗ 10^⁶ + 1)1,121𝑝
𝐼𝐸 = 1,771𝜇𝐴
VALOR MEDIDO CACULOS
VB VE VC IB IC VBE VCE IE
8,91n 0,018μ 14,995 1.121p 1,776μ -1,77m 14,99 1,771μ
4. Segúnlosdatosobtenidosenlatabla2 al calcular nuestrarectade carga el punto
de operaciónQ se encuentraenzona de corte donde nuestro transistorcircula
una corriente muypequeñay el Vce escasi igual a Vcc

6. 5.
Vi
0Vpk
1kHz
0°
C1
4.7µF
R2
56kΩ
R4
3.3kΩ
R5
1kΩ
R6
2.7kΩ
C2
10µF
C3
47µF
Q1
BC107BP
V3
15V
R1
1.5kΩ
U1
DC 10MOhm
4.316 V
+ -
U2
DC 10MOhm
3.652 V
+ -
U3
DC 10MOhm
3.628 V
+ -

7. VALOR MEDIDO CACULOS
VB VE VC IB IC VBE VCE IE
4,316 3,628 3,652 0,19m 3,439m 0,677 -31,7m 3,683m
´´´´´´´´´´´´´´´´´´´´´´´´´´´´´´
𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 𝐼𝐶 = 𝛽 ∗ 𝐼𝐵 𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝛽𝐼𝐵 𝐼𝐸 = (𝛽 + 1)𝐼𝐵
(𝐿𝑉𝐾 𝐼)𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐵 ∗ 𝑅2 − 𝑉𝐵𝐸 − 𝐼𝐸 ∗ 𝑅5 = 0
𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐵 ∗ 𝑅2− 𝐼𝐸 ∗ 𝑅5
𝑉𝐵𝐸 = 15 − (0,19𝑚 ∗ 56𝐾) − (𝐼𝐸 ∗ 1𝐾)
𝑉𝐵𝐸 = 0,677( 𝑉)
𝛽 = (
𝐼𝐶
𝐼𝐵
) =
3,493𝑚
0,19𝑚
= 18,38
( 𝐿𝐾𝑉 𝐼𝐼) 𝑉𝐶𝐶 − ( 𝐼𝐶 ∗ 𝑅4) − 𝑉𝐶𝐸 − ( 𝐼𝐸 ∗ 𝑅5) = 0
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − ( 𝐼𝐶 ∗ 𝑅4) − (𝐼𝐸 ∗ 𝑅5)
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − ( 𝐼𝐶 ∗ 𝑅4) − ( 𝛽 + 1) 𝐼𝐵 ∗ 𝑅5
𝑉𝐶𝐸 = 15 − (0,19𝑚 ∗ 56𝐾) − (18,38 + 1)0,19𝑚 ∗ 1𝑘
𝑉𝐶𝐸 = −31,7𝑚𝑉
Vi
0Vpk
1kHz
0°
C1
4.7µF
R2
56kΩ
R4
3.3kΩ
R5
1kΩ
R6
2.7kΩ
C2
10µF
C3
47µF
Q1
BC107BP
V3
15V
R1
1.5kΩ
U1
DC 1e-009Ohm
0.19m A
+ -
U2
DC 1e-009Ohm
3.439m A
+ -

8. 𝐼𝐸 = (18,38 + 1)0,19𝑚
𝐼𝐸 = 3,683𝑚𝐴
6. Segúnlosdatosobtenidosenlatabla3 al calcular nuestrarectade carga el punto
de operaciónQ se encuentraenzona de saturación donde ennuestro transistor
el Vce es negativo.
7.

9. 8. O
Vi
40mVpk
1kHz
0°
C1
4.7µF
R3
15kΩ
R4
3.3kΩ
R5
1kΩ
C2
10µF
C3
47µF
Q1
BC107BP
V3
15V
R1
1.5kΩ
R2
56kΩ
U2
AC 10MOhm3.834 V
+
-

10. VALOR MEDIDO CACULOS
Vi Vi’ Vl VL (sin
carga)
Ii IL
0,04 0.019 3,652 2,064 15.56 -0,764m
Segúnlosdatos obtenidos 𝐼𝑖 =
𝑣𝑖
𝑧𝑖
=
0,04
2,57𝑚
= 15,56𝐴
𝐼𝑙 = −
𝑣𝑜
𝑅𝑙
= −
2,064
2,7𝐾
= −0,764𝑚𝐴
9.Segúnlosdatosobtenidosenlatabla4
𝑧𝑖 =
𝑣𝑖
𝐼𝑖
=
1
1
11,83𝑘
+ 1/3,29𝑘
= 2,57𝑚Ω
𝑍𝑜 = 𝑅𝑐 //𝑟𝑐 = (3,3𝑘 + 22,28)/(3,3𝑘 ∗ 22,28) = 0,045Ω
𝐴𝑣 =
𝑣𝑜
𝑣𝑖
= −
18,38
3,29𝑘 (
1
27𝑘
+
1
3,3𝑘
+
1
22,8
)
= −0,122
𝐴𝑣𝑙( 𝑑𝐵) = 20 log|−0,122| = −19,01𝑑𝐵
𝐴𝑖 =
−𝑍𝑖 ∗ 𝐴𝑣
𝑅𝑙
=
−2,57𝑚 ∗ −0,122
2,7𝐾
= 0,116𝜇
𝐴𝑝 = 𝐴𝑖 ∗ 𝐴𝑣 = 0,116𝜇 ∗ −0,112 = −0,012992𝜇𝑑𝐵
𝐴𝑝( 𝑑𝐵) = 10 log|−0,012992𝜇| = −78,86[𝑑𝐵]
10.
Vi
40mVpk
1kHz
0°
C1
4.7µF
R3
15kΩ
R4
3.3kΩ
R5
1kΩ
C2
10µF
C3
47µF
Q1
BC107BP
V3
15V
R1
1.5kΩ
R2
56kΩ
R6
2.7kΩU1
AC 10MOhm0.019 V
+
-
U2
AC 10MOhm2.064 V
+
-

11. 50 100 500 1000 2000 5000 10000 50000 100000 200000
vL 0,518 0,96 1,96 2,064 2,091 2,098 2,099 2,084 2,045 1,929
Av 12,95 24 49 51,6 52,275 52,45 52,475 52,1 51,125 48,225
𝐴𝑣 =
𝑣𝑜
𝑣𝑖
| 𝐴𝑣| 𝑑𝑏 = 20 log10 𝑎𝑣
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1 10 100 1000 10000 100000 1000000
Gananciadevoltaje|Av|(db)
Frecuencia(Hz)
Series1
Linear (Series1)
|Av|(dB) Hz
22,24 50
27,6 100
33,8 500
34,25 1000
34,36 2000
34,39 5000
34,39 10000
34,33 50000
34,17 100000
33,66 200000

12. .- CONCLUSIONES:basadoenlomedido,calculadoyanalizadodurante el trabajose pudoveren
mayor profundidadlosrangosde trabajodel transistoreneste ejemploenparticular.
Márgenesde ganancia y susefectosal alternarsufuente de frecuencia,el concluirconestosdatos
da una mayorvisióndel trabajodel transistorysuscomportamientosendichoscasos.